高频开关整流器的应用和电路原理

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1、高频开关整流器的应用和电路原理第六图书馆介绍了高频开关整流器的特点和技术发展,国内外通信企业中的应用及其一般电路原理;重点对高频开关整流器功率因数有源和无源补偿法,高频变换技术,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联电路原理作了介绍和分析。介绍了高频开关整流器的特点和技术发展,国内外通信企业中的应用及其一般电路原理;重点对高频开关整流器功率因数有源和无源补偿法,高频变换技术,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联电路原理作了介绍和分析。高频

2、开关整流器整流器通信电源电路原理邮电设计技术朱雄世不详1996第六图书馆第六图书馆www.6lib.com；繁勰顽电，黼f6■DesigningTechniquesofBostsandTelecommunications1996No．8园雹圜一j高频开关整流器的应用和电路原理6l＼摘要：介绍7高频开关整流器的特点和技术发展，国内外通信企业中的应用及其一般电路原理；重点对高频开关整流器功率因数有源和无源补偿法，高频变换技术，绝缘栅双极晶体管(IGBT)和全属氧化物半导体场效应晶体管(M0sFET)并联电路原理作了介绍和分

3、析。关键词：电力电子技术通信电源高频开关整流器功率因数有源补偿法功率因数无源补偿法高频变换技术应用分析一器也有采用IGBT作为变换级器件，提高了效率，但、电力电子技术的发展和高频开关整流器的产生因它存在关断时产生尾随脉冲，影响开关频率的提高，最高达到60kHz左右。1993年国际通信能源会近年来，通信局(站)中开第六图书馆始采用高频开关整流议(INTELEc)上澳大利亚NigelMachin和TinoVescovi整流器制造单位发表论文，介绍IGBT和金器作为通信电源设备，它具有先进、高效和节能的显著特点。和相控整流器

4、相比，高www.6lib.com频开关整流器每一机属氧化物半导体场效应晶体管(M0sFET)并联连架的输出功率大，而体积小、重量轻，并且具有功率接电路，使总的开关损耗降低，效率提高，其开关工因数、效率和可靠性高等优点。高额开关整流器机架作频率在25~50kHz之间。上装有监控模块，使高额开关整流器与计算机相结此外，国外尚有MOS控制晶闸管(MCT)和功合，生产出智能型设备，能实时测量、处理、控制和报率集成电路(PIC)两种器件具有发展前途。MCT是告电源系统的状况及发生的事件。表面场效应器件的一个分支，它将MOSFET

5、的高高频开关整流器的产生和推广是和电力电子技阻抗、低驱动功率、快开关速度的特点与晶闸管的高术的发展分不开的。在电力半导体器件方面，7O年压、大电流特性相结合，具有大功率、高压、快速全控代发明的v形槽金属氧化物半导体场效应晶体管型的特点，据报道采用MCT的逆变器，其功率损失(vM0sFET)现已广泛用于直流变换器中，作为开仅为IGBT的56。PIC是由功率器件和具有一个关器件，由于它的高额性能好、电压型控制、负电流单独功能的电路组合在一起，可作为智能功率集成温度系数等优点，得到各国的推广使用。为了弥补电路用，目前已用于小

6、功率电力变换器内，使装置的VMOSFET导通电阻大的不足，8O年代又发明了绝体积缩小，重量减轻，可靠性提高，从而使装置的成缘栅双极晶体管(IGBT——InsolatedGateBipolar本下降。Transistors)，它是在VMOS器件的漏极面加一P在电力半导体器件发展的同时，电力变换和控层形成，具有VMOS管和双极型晶体管两者的优点，导通压降小、损耗低，故国内外生产的高频整流丰雄世邮电部设计院(邮码：450007)主任高级工程师·3O·http://www.6lib.com第六图书馆《邮电设计技术)1996年第

7、8期■制技术也在不断加以改进，变换电路日趋完善(详见型电源设备，是目前典型的新一代大功率开关整流本文筇三节)。在控制技术方面，大部分均采用脉宽器产品，具有国际上先进的技术水平和性能指标。调制(PWM)方法．但由于PWM调制时，开关元件日本NEC公司1989年报道，把高频开关整流是在全功率过程中进行导通和关断．不可避免地会器和配电屏装在通信机房内，这种供电系统称为同产生谐波和开关损耗，故这种所谓硬转换或称硬开层系统(Same—FJ。0rSystem)。整流器由25，50，关的工作，降低了整机的效率。在PWM基础上又采10

8、0A3种模块组成。设备已于1987年投入运行用准谐振变换器(Quasi—ResonantConverter)电同时采用阀控式密封电池，密封电池安装在活动地路，产生准谐振零电流或零电压开关电路，以降低开板下面，这种安装方法节省面积，值得我们借鉴。关的工作损耗。由于采用高频开关整流器和密封电池后，电源除以上PWM调制技术外，脉频调制(