反激同步整流

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1、一种反激同步整流DC-DC变换器设计摘要：对反激同步整流在低压小电流DC－DC变换器中的应用进行了研究，介绍了主电路工作原理，几种驱动方式及其优缺点，选择出适合于自驱动同步整流的反激电路拓扑，并通过样机试验，验证了该电路的实用性。引言：低压大电流DC-DC模块电源一直占模块电源市场需求的一半左右，对其相关技术的研究有着重要的应用价值。模块电源的高效率是各厂家产品的亮点，也是业界追逐的重要目标之一。同步整流可有效减少整流损耗，与适当的电路拓扑结合，可得到低成本的高效率变换器。本文针对36V-75V输入，3.3V/15A输出的二次电源模块，在分析同步整流技术的基础上，根据同步整流的特点，

2、选择出适合于自驱动同步整流的反激电路拓扑，进行了详细的电路分析和试验。反激同步整流基本的反激电路结构如图1。其工作原理：主MOSFETQ1导通时，进行电能储存，这时可把变压器看成一个电感，原边绕组电流Ip上升斜率由dIp/dt=Vs/Lp决定，磁芯不饱和，则Ip线性增加；磁芯内的磁感应强度将从Br增加到工作峰值Bm；Q1关断时，原边电流将降到零，副边整流管开通，感生电流将出现在副边；按功率恒定原则，副边安匝值与原边安匝值相等。在稳态时，开关导通期间，变压器内磁通增量△Φ应等于反激期间内的磁通变化量，即：△Φ＝VsTon/Np＝Vs'Toff/Ns从此式可见，如果磁通增量相等的工作点稳

3、定建立时，变压器原边绕组每匝的伏－秒值必然等于副边每匝绕组的伏－秒值。反激变换器的拓扑实际就是一个BUCK－BOOST组合的变换器拓扑的应用，而且如果副边采用同步整流，电路总是工作于CCM的模式下，其电压增益M＝Vo/Vs＝K·D/(1－D)(K为原副边匝数比)用PMOSFET和MOSFET替代图1中的萧特基二极管，可以实现同步整流的4种电路结构如图2和图3反激电路的开关电压波形见图4，是标准的矩形波，非常适合同步整流驱动。设计的关键点在于同步整流管的位置与驱动电路的结构配合、波形的整形限幅和死区控制。图1基本反激电路结构图图2由NMOSFET构成的反激同步整流电路结构图3由PMOS

4、FET构成的反激同步整流电路结构图4CH1－整流管实验波形/CH2－主开关实验波形图5一种实际的外驱电路图6增加驱动能力的外驱电路图7由NMOSFET构成的反激同步整流自驱动电路结构图8由PMOSFET构成的反激同步整流自驱动电路结构图9反激同步整流半自驱电路结构图10、Vgs驱动波形，CH1同步整流管，CH2主开关管图11、Vds波形，CH1同步整流管，CH2主开关管图12转换效率曲线反激同步整流驱动电路选择同步整流管的驱动方式有三种：第一种是外加驱动控制电路，优点是其驱动波形的质量高，调试方便。缺点是：电路复杂，成本高，在追求小型化和低成本的今天只有研究价值，基本没有应用价值。图

5、5是简单的外驱电路，R1D1用于调整死区。该电路的驱动能力较小，在同步整流管的Ciss较小时，可以使用。图6是在图5的基础上增加副边推挽驱动电路的结构，可以驱动Ciss较大的MOSFET。在输出电压低于5V时，需要增加驱动电路供电电源。第二种是自驱动同步整流。优点是直接由变压器副边绕组驱动或在主变压器上加独立驱动绕组，电路简单、成本低和自适应驱动是主要优势，在商业化产品中广泛使用。缺点是电路调试的柔性较少，在宽输入低压范围时，有些波形需要附加限幅整形电路才能满足驱动要求。图7和图8是四种反激同步整流的电路结构。由于Vgs的正向驱动都正比于输出电压，调节驱动绕组的匝数可以确定比例系数，

6、且输出电压都是很稳定的，所以驱动电压也很稳定。比较麻烦的是负向电压可能会超标，需要在设计变压器变比时考虑驱动负压幅度。第三种是半自驱。其驱动波形的上升或下降沿，一个是由主变压器提供的信号，另一个是独立的外驱动电路提供的信号。图9是针对自驱的负压问题，用单独的放电回路，提供同步整流管的关断信号，避开了自驱动负压放电的电压超标问题。实验结果根据图7电路，设计了一台15W样机，输入电压36－75V，输出5V/3A，体积50mm/25mm/8.5mm。开关频率300kHz，磁心选用国产FEY12.5，变压器匝比3:1，磁心中柱气隙0.2mm。同步整流管选择的主要依据是：整流管导通电阻尽量小，

7、电压和电流不超过整流管的电压和电流限值，这里选用Motorola公司的MTB75N05HD(Vds=50V，Rds=7mΩ)同步整流管的驱动波形如图10，为标准的矩形波。实测的效率曲线如下，低压满载时在87％以上。与萧特基二极管整流的典型效率82％相比，模块损耗减少了30％。结语理论分析和样机验证，证明反激同步整流的的效率在低压输出条件下有明显的优势，模块本身的功耗比萧特基整流低30％，可以提高30％的模块功率密度，具有极大的推广和应用价值。参考文献1曹箫