《CMOS流程》PPT课件

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1、一.双阱工艺*n阱的形成1.外延生长p+硅衬底p-外延层2.氧化生长p+硅衬底p-外延层SiO23.第一层掩膜（光刻1）“n阱注入”p+硅衬底p-外延层SiO2光刻胶4.n阱注入磷注入p+硅衬底p-外延层SiO2光刻胶5.退火n阱*p阱的形成1.第二层掩膜(光刻2)“p阱注入”n阱光刻胶n阱光刻胶2.p阱注入硼注入3.退火n阱p阱二.浅槽隔离工艺*槽刻蚀1．长隔离氧化层n阱p阱2.氮化硅淀积Si3N4n阱p阱3.第三层掩膜(光刻3)“浅槽隔离”n阱p阱光刻胶n阱p阱光刻胶4.STI槽刻蚀在外延层上选择刻蚀开隔离区n阱

2、p阱去光刻胶n阱p阱*STI氧化物填充1.沟槽衬垫氧化硅n阱p阱2.沟槽CVD氧化物填充隔离槽CVD氧化硅n阱p阱*STI氧化层抛光—氮化物去除1.沟槽氧化物抛光(CMP)2.氮化物去除n阱p阱p-外延层p+硅衬底n阱p阱p-外延层p+硅衬底三．多晶硅栅结构工艺1．栅氧化层的生长n阱p阱p-外延层p+硅衬底多晶硅2．多晶硅淀积n阱p阱p-外延层p+硅衬底多晶硅3．第四层掩膜(光刻4)“多晶硅栅”n阱p阱p-外延层p+硅衬底4．多晶硅栅刻蚀n阱p阱p-外延层p+硅衬底四．轻掺杂漏注入工艺*n-轻掺杂漏注入1．第五层掩膜

3、(光刻5)“n-LDD注入”n阱p阱p-外延层p+硅衬底n-n-n-2．n-LDD注入砷注入n阱p阱p-外延层p+硅衬底n-n-n-*p-轻掺杂漏注入1．第六层掩膜(光刻6)“p-轻掺杂注入”2．p-LDD注入BF2注入n阱p阱p-外延层p+硅衬底n-n-n-p-p-p-n阱p阱p-外延层p+硅衬底n-n-n-p-p-p-五．侧墙的形成1．淀积二氧化硅n阱p阱p-外延层p+硅衬底n-n-n-p-p-p-2．二氧化硅反刻用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻n阱p阱p-外延层p+硅衬底n-n-六．源/漏注入工艺*n+源/漏

4、注入1．第七层掩膜(光刻7)“n+源/漏注入”n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+2．n+源漏注入砷注入n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+*p+源/漏注入1．第八层掩膜(光刻8)“p+源/漏注入”n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+2．p+源/漏注入硼注入n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+3．退火n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+七．接触(孔)的形成*钛金属接触的制作1．钛的淀积钛淀积2．退火钛硅化物接触形成n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+

5、p+n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+3．钛刻蚀n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+八．局部互连(LI)工艺*LI氧化硅介质的形成1．氮化硅化学气相淀积氮化硅CVD2．掺杂氧化物的化学气相淀积n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+掺杂氧化硅CVDn阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+3.氧化层抛光（CMP）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+4．第九层掩膜(光刻9)“局部互连”局部互连刻蚀n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+

6、*LI金属的制作1.金属钛淀积(PVD工艺)n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+Ti2.氮化钛(TiN)淀积n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+TiN3.钨淀积(CVD工艺)n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+4.磨抛钨(CMP工艺)n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-1九．通孔1和钨塞1的形成*通孔1的制作1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p

7、+ILD-12．氧化物磨抛（CMP）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-13．第十层掩膜(光刻10)“ILD-1”n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-1第一层层间介质刻蚀*钨塞1的制作1.金属淀积钛阻挡层（PVD）2.淀积氮化钛（CVD）3．淀积钨（CVD）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-1Ti/TiN/Wn阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-14.磨抛钨（CMP）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+IL

8、D-1十．第一层金属（金属1）互连的形成*金属1互连的制作1．金属钛阻挡层淀积（PVD）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-1Al+Cu(1%)2．淀积铝铜合金（PVD）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-1TiN3．淀积氮化钛（PVD）n阱p阱p-外延层p+硅衬底n+n+n+p+p+p+ILD-