MCS51单片机存储器扩展

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1、第六章MCS-51单片机存储器扩展1、单片机系统扩展的三总线结构；2、存储器扩展的编址技术；3、程序存储器和数据存储器的扩展方法。6.1单片机扩展及系统结构6.2存储器扩展编址技术本章主要内容6.3程序存储器扩展6.4数据存储器扩展《单片机原理及应用》为什么要进行单片机的存储器扩展？课题引入子系列机型片内ROM片内RAM可寻址ROM范围可寻址RAM范围51子系列8031无128B64KB64KB80514KB128B64KB64KB87514KB128B64KB64KB52子系列8032无256B64KB64KB80528KB256B64KB64KB实际应用时，如果单

2、片机内部程序存储器的容量不能满足要求时，就需要在其外部进行存储器的扩展。6.1MCS-51单片机扩展及系统结构8051数据存储器程序存储器I/O接口I/O接口I/O设备I/O设备地址总线数据总线控制总线《单片机原理及应用》地址总线是单向的，从单片机发出。数据总线是双向的。对于一条控制线，其传送方向是单向的。总线：连接系统中各扩展部件的一组公共信号线。地址总线：传出单片机送出的地址信号，进行存储单元和I/O端口的选择。数据总线：单片机和存储单元以及单片机和I/O端口之间传输数据。控制总线：一组控制信号线的总称。有单片机发出的，也有从其他部件发向单片机的。注意1、单片机扩

3、展的实现（总线构造）以P0口的8位口线作地址/数据线（复用线）;以P2口的8位口线作高8位地址线。MCS-51单片机寻址范围为64K，需要16根地址线:所谓复用：既可作地址线（低8位），又可作数据线。复用技术：增加一个8位锁存器，通过对锁存器的控制实现对地址（低8位）和数据的分离2、扩展时常用的控制信号1）ALE：地址锁存选通信号（高电平有效）。2）PSEN：扩展程序存储器（外部ROM）读选通信号（低电平有效）。3）EA：内外程序存储器的选择信号（低电平有效）。4）RD和WR：扩展外部数据存储器（RAM）的读、写选通信号（低电平有效）。单片机总线扩展结构图返回6.2M

4、CS-51单片机存储器扩展编址技术MCS-51系列单片机存储器有四个部分：1）片内ROM（部分有，8031无片内ROM）；2）片外ROM（扩展）；3）片内RAM（51系列单片机都有，256字节）；4）片外RAM（扩展）一、MCS-51单片机存储器系统RAM、ROM都可以扩展至64K。《单片机原理及应用》程序存储器映象数据存储器映象二、单片机扩展存储器编址及映像存储器编址技术：以系统的高位地址作为存储器的片选信号。直接将地址线连接到存储芯片片选端。将地址线进行适当连接，使得存储器中每一个存储单元可唯一地对应一个编址。1、线选法《单片机原理及应用》2、译码法有效地利用存储

5、空间，最常用的存储器编址方法。通过译码器对系统的高位地址进行译码，以译码输出作为存储芯片的片选信号。常用译码器：74LS139：双2—4译码器；74LS138：3—8译码器1）74LS139：双2—4译码器2）74LS138：3-8译码器使能控制3）74LS138作译码器的连接返回6.3程序存储器扩展掩膜ROM可编程ROM（PROM）：内容只能写一次；可改写ROM（EPROM）：紫外线擦除；可改写ROM（EEPROM）：电擦除；快擦写ROM：flashROM一、只读存储器（ROM）《单片机原理及应用》二、典型只读存储器芯片2716INTEL公司27系列产品（加电编程、

6、紫外线擦除EPROM），系列产品还有2732、2764、27128等。存储容量：2k8(位)、4k8(位)、8k8(位)、16k8(位)芯片引脚：A10~A0：11位地址；O7~O0：数据线；：片选/编程控制信号；正常使用片选（低电平有效），编程时，引入编程脉冲；：输出允许信号，低电平有效。《单片机原理及应用》5种工作方式：1）读方式：均为低电平，被寻址单元内容经数据线读出；2）未选中方式：为高电平，数据线输出呈高阻状态；3）编程方式：Vpp加25V电压，加TTL高电平。进行数据重新写入；4）程序检验方式：Vpp=25V，均为低电平5）编程禁止三、程序存储器扩

7、展示例1、线选法编址扩展示例《单片机原理及应用》2716是2K8（位）EPROM，11根地址线示例中，2716的地址范围是：最低地址：A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A01000，0000，0000，0000（8000H）最高地址：A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A01000，0111，1111，1111（87FFH）A14A13A12A11（P2.6~P2.3)的状态与芯片寻址无关，A14A13A12A11的所有16种组合（0000~1111）都不会影响该芯片的寻址，