《存储器与总线实验》PPT课件

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1、计算机组成原理实验控制信号的字符串定义：S3-S0:表示运算器操作选择信号，以控制16种算术运算或罗晶晶运算的一种；S1,S0,M又是移位寄存器的控制信号。M:表示运算器方式选择信号，M=0执行算术运算操作；M=1执行逻辑运算操作；/CN:表示进位控制信号，/CN=0表示是进位为1的带进位运算；/CN=1LDCZY=0表示不带进位运算，/CN=1LDCZY=1表示带进位运算；/LOAD:当/LOAD=0表示装载PC值；/LOAD=1表示PC计数状态；/CE：表示主存（6116）的片选信号，低电平有效；WE：表示主存（6116）的读/写信号;当WE

2、=1时，表示写；当WE=0时，表示读。实验基本知识：LDR0-LDR2:表示将数据总线内容打入到R0-R2中，高电平有效；LDDR1-LDDR2:表示将数据总线内容打入暂存器DR1-DR2中，高电平有效；LDIR:表示将数据总线内容打入指令寄存器IR中，高电平有效；LDPC:表示程序计数器PC计数控制信号，高电平有效，当LOAD=1,LDPC=1时，PC加1；LDAR:表示将数据总线内容打入到地址寄存器中，高电平有效；LDCZY:表示进位（CY),零（ZY)标志控制信号，高电平有效；实验基本知识：C,B,A:表示数据通道选通控制信号：CBA000

3、000000000111111111111选择关闭总线通道CBA000000000000111111111111关闭总线通道表示将数据开关上的数据输入到数据总线；表示将运算器结果发送到数据总线；表示将PC计数器的内容发送到数据总线；表示将寄存器R0的数据发送到数据总线；表示将寄存器R1的数据发送到数据总线；表示将寄存器R2的数据发送到数据总线；表示将移位寄存器的内容发送到数据总线；选择A9,A8:表示片选信号：A9A8选通00001111选通CS0选通CS1选通CS2选通CS3存储器和总线实验实验一实验目的：熟悉存储器和总线组成的硬件电路实验要求

4、：按照实验步骤完成实验项目，利用存储器和总线传输数据。实验步骤：控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE)、写/读线（WE)、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE、WE、LDAR)之间对应连接。位于实验装置左中方（C、B、A)与位于实验装置左上方的（C、B、A)对应连接。实验步骤：完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。在闪动的“P.”状态下按动增址命令键，使LED显示器自左向右第一位显示提示符“H.”,表示本装置已进入手动单元实验状态。实验步骤：内部总线数据写入存储器给存储器的00、01、02、03

5、、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下：实验步骤：数据开关（00000000）三态门地址寄存器AR(00000000)存储器RAM（00010001）三态门数据开关(00010001)CBA=000CBA=001CE=1LDAR=1/CB=1按STEPCBA=000CBA=001LDAR=0LDAR=0/CE=0WE=1按STEP实验步骤：读存储器的数据到总线上依次读出第00、01、02、03、04单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作如下：实验步骤：数据开关（00000000）三态

6、门地址寄存器AR(00000000)CBA=000CBA=001CE=1存储器RAM(00010001)CBA=001/CE=1LDAR=1按STEPCBA=000/CE=0WE=0LDAR=0SRAM芯片HM61166116的工作方式/CE/OE/WE方式I/O引脚HXX未选中（待用）高阻LLH读出DoutLXL写入Din数据收发器74LS24574LS245是一种三态输出的8总线收发器。该收发器有16个双向传送的数据端，即A1－A8，B1－B8，另有两个控制端－使能端，方向控制端DIR，该芯片的功能见表。74LS245通常用于数据的双向传送、

7、缓冲和驱动。74LS245通常用于数据的双向传送、缓冲和驱动。74LS27374LS273是8位数据/地址锁存器74LS273是一种带清除功能的8D触发器，1D～8D为数据输入端，1Q～8Q为数据输出端，CLK—上升沿触发，CLRN—低电平清除（即当为低电平时，芯片被清除，输出全为0（低电平）），常用作8位地址锁存器。实验原理图