集成电路实验

《集成电路实验》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、电子科技大学微固学院标准实验报告（实验）课程名称集成电路设计实验电子科技大学教务处制表电子科技大学实验报告学生姓名：学号：指导教师：实验地点：实验时间：一、实验室名称：集成电路设计中心二、实验项目名称：工艺仿真三、实验学时：4四、实验目的与意义随着IT产业的迅猛发展，微电子集成电路在通讯、计算机及其他消费类电子产品中的重要地位日益突出，而IC的生产和设计技术水平是决定IC芯片性能的两大要素。目前，IC设计主要沿正向和逆向设计两条技术路线继续发展，该实验为正向设计中的必须环节，使能基本掌握IC工艺仿真。本实验其目的在于：根据实验任务要求，综合运用课程所学知识自主完成相应工艺仿真。通过该实

2、验，使掌握工艺仿真流程，加深对课程知识的感性认识，增强的设计与综合分析能力，进而为今后从事科研、开发工作打下良好基础。五、实验内容及步骤第一步：生长常氧和栅氧1．如图所示：$TMATSUPREM4NMOStransistorsimulation$Parta:Throughfieldoxidation$DefinethegridMESHGRID.FAC=1.5$METHODERR.FAC=2.0$ReadthemaskdefinitionfileMASKIN.FILE=s4ex4m.tl1PRINTGRID="Field,Poly"$InitializethestructureINITI

3、ALIZE<100>BORON=5E15$InitialoxidationDIFFUSIONTIME=30TEMP=1000DRYHCL=5$NitridedepositionandfieldregionmaskDEPOSITNITRIDETHICKNESS=0.07SPACES=4DEPOSITPHOTORESISTPOSITIVETHICKNESS=1EXPOSEMASK=FieldDEVELOPETCHNITRIDETRAPETCHOXIDETRAPUNDERCUT=0.1ETCHSILICONTRAPTHICKNES=0.25UNDERCUT=0.1$Boronfieldimp

4、lantIMPLANTBORONDOSE=5E12ENERGY=50TILT=7ROTATION=30ETCHPHOTORESISTALL$FieldoxidationMETHODPD.TRANSCOMPRESSDIFFUSIONTIME=20TEMP=800T.FINAL=1000DIFFUSIONTIME=180TEMP=1000WETO2DIFFUSIONTIME=20TEMP=1000T.FINAL=800ETCHNITRIDEALL$UnmaskedenhancementimplantIMPLANTBORONDOSE=1E12ENERGY=40TILT=7ROTATION=3

5、0$SavestructureSAVEFILEOUT.FILE=S4EX4AS$PlottheinitialNMOSstructureSELECTZ=LOG10(BORON)TITLE="LDDProcess-NMOSIsolationRegion"PLOT.2DSCALEGRIDC.GRID=2Y.MAX=2.0PLOT.2DSCALEY.MAX=2.0$ColorfilltheregionsCOLORSILICONCOLOR=7COLOROXIDECOLOR=5$PlotcontoursofboronFOREACHX(15TO20STEP0.5)CONTOURVALUE=XLINE

6、=5COLOR=2END$ReplotboundariesPLOT.2D^AX^CL$PrintdopinginformationunderfieldoxideSELECTZ=DOPINGPRINT.1DX.VALUE=4.5X.MAX=3第二步：局部氧化注入和生长栅极2．程序如下：$TMATSUPREM4NMOStransistorsimulation$Partb:Throughsource/drainmetallization$SetgridspacingandaccuracyparametersMESHGRID.FAC=1.5$METHODERR.FAC=2.0$Readstru

7、cturefrominitialsimulationINITIALIN.FILE=S4EX4AS$ReadthemaskdefinitionfileMASKIN.FILE=s4ex4m.tl1$DefinepolysilicongateMATERIALMAT=POLY^POLYCRYSDEPOSITPOLYSILICONTHICK=0.4SPACES=2DEPOSITPHOTORESISTTHICK=1.0EXPOSEMASK=PolyDEVE