硅片技术标准

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1、单晶硅片技术标准1范围1.1本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2规范性引用文件2.1ASTMF42-02    半导体材料导电率类型的测试方法2.2ASTMF26       半导体材料晶向测试方法2.3 ASTMF84       直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4ASTMF1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5ASTMF121-83   太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6ASTMF1535    用非接触测量微波

2、反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法  3术语和定义3.1TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；3.3位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；3.4位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；3.5崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦

3、长给出；3.6裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.7四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。3.8密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125´125Ⅰ(mm)、125´125Ⅱ(mm)、156 ´156(mm)。5技术要求5.1外观   见附录表格中检验要求。5.2外形尺寸5.2.1 方片TV为200±20um,测试点为中心点；5.2.2 方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点

4、；5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；5.2.4 相邻C段的垂直度：90 o±0.3o；5.2.5 其他尺寸要求见表1。表1    单晶硅片尺寸要求规格 （mm）尺寸（mm）A（边长）B（直径）C（直线段长）D（弧长投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min. 125´125Ⅰ125.5124.5150.5149.583.981.921.920.2 125´125Ⅱ125.5124.5165.5164.5108.8106.69.4 7

5、.9 156´156156.5155.5200.5199.5 126.2124.115.914.9注1：A、B、C、D分别参见图1。                      图1    硅单晶片尺寸示意图5.3材料性质5.3.1导电类型：            序号硅片类型掺杂剂1N型磷(Phosphorous)2P型硼(Boron)5.3.2硅片电阻率：见下表；5.3.3硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；5.3.4晶向：表面晶向<100>+/-3.0°；5.3.5位错密度≤30

6、00pcs/cm2；5.3.6氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤1.0ppma。 6检测环境、检测设备和检测方法6.1检测环境：室温，有良好照明（光照度≥1000Lux）。6.2检测设备：游标卡尺（0.01mm）、厚度测试仪/千分表（0.001mm）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。6.3检测项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。6.4检测方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每

7、个批次硅片的检测报告。6.5检验结果的判定检验项目的合格质量水平详见附录表A《检验项目、检验方法及检验规则对照表》。 7包装、储存和运输要求7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10℃～40℃；湿度：≤60%；避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。检验项目检验要求检测工具抽

8、样计划验收标准硅片等级A级品B级品外  观崩边/硅落崩边硅落长宽≦0.3mm*0.2mm不穿透。崩边长宽≦1mm*1mm不穿透。硅落长宽厚≦1.5mm*1.5mm*100um。目 测粗糙度测试仪日光灯(≥1000Lux)全    检数量≤2数量≤4切割线痕线痕深度≦15um，但无密集线痕。线痕深度≦30um。缺角/缺口缺口长宽≦0.2mm*0.1mm。无V型缺口、缺角长宽≦1mm*0.5mm，无可见有棱角的缺角，