电子技术习 题集

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1、电子技术精品课程电子技术习题集第一章半导体器件基础01、对本征半导体的说法正确的是A。A、不含杂质且具有完整晶体结构的半导体；B、含有三价元素硼的半导体；C、含有五价元素磷的半导体；D、不含杂质且电阻率极低的半导体。02、本征半导体在热力学温度为零度时的说法正确的是B。A、该半导体为微导电；B、该半导体为绝缘体；C、该半导体为导体；D、A项和C项。03、对本征半导体中的载流子，说法正确的是C。A、数量很多；B、数量适中；C、数量很少；D、满足A项和B项。04、对本征半导体中的价电子的说法，正确的是A。A、给本征半导体加上一定的能量，则价电子就能成为自由电子；B、给本征半

2、导体不加能量，则价电子也能成为自由电子；C、给本征半导体加上一定的能量，则价电子也不能成为自由电子；D、以上所有说法都不正确。05、N型半导体是在本征半导体中加入下列D物质而形成的。A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。06、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是C。A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。07、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是A。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；36电子技术精品课程08、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是

3、D。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；09、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是B。A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；10、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是B。A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。11、在PN结的形成过程中，下列说法中错误的是A。A、多数载流子的运动称为漂移；B、电子与空穴的中和称为复合；C、多数载流子的运动称为扩散；D、少数载流子的运动称为漂移；12、要使普通二极

4、管导通，下列说法正确的是D。A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。13、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是A。A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；14、当PN结加正向电压时，空间电荷区将C。A、加宽；B、不变；C、变窄；D、无法判别。36电子技术精

5、品课程15、由二极管构成的限幅电路如下图所示，则该电路的输出电压波形正确的是B。限幅电路的输入波形限幅电路A、B、C、D、16、稳压管的稳压区是其工作在D。A、正向导通状态；B、反向截止状态；C、饱和导通状态；D、反向击穿状态。17、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是C。A、UA=3.5V，UB=3.5V，D截止；B、UA=3.5V，UB=1.0V，D截止；C、UA=1.0V，UB=3.5V，D导通；D、UA=1.0V，UB=1.0V，D截止。36电子技术精品课程18、电路如下图所示，则F点的电位是A。A、UF=3V；B、UF=6V；C、UF=4.5V；D、UF

6、=12V。19、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是B。A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的高电位。20、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则下列四种变化中正确的是A。A、UI↑→U0↑→IW↑→IR↑→UR↑→U0↓；B、UI↑→U0↑→IW↓→IR

7、↓→UR↓→U0↓；C、UI↑→U0↓→IW↓→IR↑→UR↑→U0↓；D、UI↑→U0↓→IW↓→IR↓→UR↓→U0↓。21、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是C。A、三极管具有电压放大作用；B、三极管具有功率放大作用；C、三极管具有电流放大作用；D、三极管具有能量放大作用。22、对于二极管来说，下列说法中错误的是B。A、二极管具有单向导电性；B、二极管同样具有放大作用；C、二极管具有箝位功能；D、二极管具有开关等功能。23、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是A。A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系