《LED芯片工艺》PPT课件

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1、蓝光LED芯片工艺外延片清洗有机物金属离子MQWP-GaNAL2O3N-GaNMQWP-GaNAl2O3N-GaN蒸镀ITOITO为透明电极，可以起到一个增加电流扩展和提高出光效率的作用。Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaN蒸镀ITO光刻ITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITO胶Al2O3N-GaNMQWP-GaNITO胶Al2O3N-GaNMQWP-GaNITO胶甩胶曝光显影光刻一般是分为三步：1.甩胶，胶是用来做光刻的掩膜，分为正胶和负胶2.曝光,胶是一种光的敏感材料，见光反应

2、，如果是正胶见光后，见光部分则容易被显影液去掉，如果是负胶见光后，则没有见光的部分容易被显影液去掉3.显影，通过显影液去掉经过曝光的正胶或没有曝光的负胶ITO腐蚀Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITO腐蚀ITO去胶腐蚀分别湿法腐蚀和干法刻蚀两种湿法腐蚀：通过液体化学药品与要去掉的物质发生化学反应，生成气体或溶于液体的物质而去掉。这种方法有各向同性的性质，会容易产生钻蚀现象。干法刻蚀：通过气体原子和离子轰击及辅助相应的气体化学反应，而去掉需要去掉

3、的层。这种方法的优点就是它的各向异性特点，但是由于其能量极大，如果用胶保护容易把胶打焦从而导致后续去胶困难。湿法腐蚀去ITO光刻N电极Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITO甩胶曝光显影ICP刻蚀N电极Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOICP刻蚀GaN去胶由于GaN的化学性质特别稳定，用一般的化学药品很难腐蚀动，即

4、使能腐蚀，速率也是特别的慢，所以要去掉GaN一般用干法刻蚀PECVD沉积SiO2SiO2为钝化膜，起到防静电，保护发光管的作用。P-GaNN-GaNMQWP-GaNITOP-GaNN-GaNMQWP-GaNITO沉积SiO2钝化膜光刻电极Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOSiO2P-GaNN-GaNMQWP-GaNITOSiO2Al2O3P-GaNMQWP-GaNITOSiO2P-GaNN-GaNMQWP-GaNITOSiO2甩胶曝光显影腐蚀SiO2Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOSiO2Al2O3N-GaNMQ

5、WP-GaNITOSiO2腐蚀蒸镀金属电极及剥离Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAu电极Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAu电极蒸镀金属电极金属剥离