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1、国际整流器IRIRF3205S/LHEXFET®PowerMOSFET*先进的加工技术ThermalResistance*极低的导通阻抗VDSS=55V*动态的dv/dt等级RDS(on)=8.0mΩ*175°C运行温度ID=110A*充分的雪崩等级TO-262D2PakIRF3205LIRF3205S描述来自国际镇流器公司先进的HEXFETR功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在各个方面。D2Pak表面封装的适合
2、于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。最大额定参数参数最大值单位ID@TC=25°C持续漏极电流，Vgs@10V110AID@TC=100°C持续漏极电流,Vgs@10V80AIDM脉冲漏极电流，390APD@TC=25°C功率消散200W线性额定降低因数1.3W/°CVGS门极电压±20VIAR雪崩电流62AEAR重复雪崩能量20mJdv/dt二极管恢复峰值电压变化率5.0V/nSTJ，TSTG工
3、作节点温度和保存温度-55to+175°C焊接温度，在10秒内300（假设为1.6mm）°C封装扭矩10lbf•in(1.1N•m)热阻特性参数典型值最大值单位RθJC节点到外壳——0.75°C/WRθJA接点到环境（PCB安装，稳定状态）——40电气特征@Tj=25°C(除非有其他详细说明)参数最小典型最大单位测试条件V(BR)DSS~55————VVGS=0V,ID=250μAΔV(BR)DSS/ΔTJ击穿电压的温度系数——0.057——V/°C参考为25°C,Id=25mARDS(on)静态漏源导通电阻————8mΩVDS=VGS,ID=250μ
4、AVGS(th)门极开启电压2.0——4.0VVDS=25V,ID=62A.gfs前向跨导44————sVDS=25V,ID=62A.IDSS漏源漏电流————100uAVDS=25V,VGS=0V,TJ=150℃————-100VDS=-20VQg总体门极电荷————146nCID=62AVDS=44VQgs门源电荷————35VGS=10V,SeeFig.6and13Qgd门漏电荷————54td(on)打开延时——14——nsVDD=28Vtr上升时间——101——ID=62Atd(off)关断延时——50——RG=4.5Ωtf下降时间——65—
5、—VGS=10V,SeeFig.6and13LD内部漏极自感——4.5——nHLS内部源极自感——7.5——Betweenlead,6mm(0.25in)FrompackageAndcenterofdiecontactCISS输入电容量——3247——pFVGS=0VCDSS输出电容量——781——VDS=25VCRSS反向恢复时间——211——f=1.0MHz.SeeFig.5EAS反向恢复电荷——1050264mJIAS=62A,L=138uH○6漏源极限和特征参数最小典型最大单位测试条件IS持续源极电流（自身二极————110MOSFETsymb
6、olshowingthe管）integralreversep-njunctionAISM脉冲源极电流（自身二极————390管）diode.VSD二极管前向压降————1.3VTJ=25℃,IS=62A,VGS=0V4trr反向恢复时间——69104nsTJ=25℃,IF=62AQrr反向恢复电荷——143215ncdi/dt=100A/us4ton前向恢复时间内在打开时间是可以忽略的（打开受控于LS+LD）注意：○1反复级别：脉宽小于最大值。结点温度为。（看图.11）.○4脉宽≤400us;dutycycle≤2%.○5适当的连续电流取决于允许结点温
7、度.包装极限温度为○2开始时TJ=25℃，L=138uHRG=25Ω,IAS=62A.(看图75A.12).○6在器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典型值.○3ISD≤62A,di/dt≤207A/us,VDD≤(BR)DSS,TJ≤℃.○7这个适当的极限值为TJ=175℃.*当裱装在1″平方PCB（FR-4orG-1-Material）.被推荐的封装和焊接技术涉及应用技术笔记#AN-994.图1典型输出特性图2典型输出特性图3典型传输特性图4规格化的阻抗Vs温度图5典型电容Vs漏源电压图6典型门极电荷Vs门源电压图7典型漏源二极管前向电压图8最大
8、安全工作区域图10a开关时间测试电路图9最大漏极电流Vs器件温度图10b开关时间波形图11.最
