电子科技大学微传感器复习

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1、MEMS:微机电系统（MEMS）是在微电子技术的基础上发展起来的，融合了硅胶加工。LIGA技术和精密机械加工等多种微加工技术，并应用现代信息技术构成的微型系统。SOI：SOI（Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路屮的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优。SOC：MEMS结构和

2、IC集成到同一芯片上的单片集成工艺。LIGA：LIGAT艺是一种基于X射线光刻技术的MEMS加工技术，主要包括"X光深度同步辐射光刻,电铸制模和注模复制三个工艺步骤。使用LIGA可以做成高深宽比的结构。DRIE：反应离子深刻蚀，是一种体加工技术，在真空室内通过射频电场激发反应气体产生等离子体而进行的刻蚀，一般采用吋分复用和低温刻蚀的方法，具有垂直型好，高深宽比的特点。1、MEMS尺寸范围（lunTlmm）2、一般来说有3种不同的微制造技术3、目前为止，商业化最好的MEMS器件是_2（1）压力传感器（2）喷墨打印头（3）加速度传感器4、曝光后被溶解的光刻胶是：正胶

3、5、光刻中用正胶的效果和负胶差不多。6、光刻中光源波长范围pmma-220nmpi-365nmo7、MEMS光刻与IC光刻主要的区别是：多在更为不平整的表而上进行。B,错，线条更细，C错，双而光刻8、光刻技术中的曝光方式有：接触式，接近式，投影式9、接近式和接触式曝光，图形尺寸和掩膜尺寸一致10、影响光刻线条的因素：光的衍射11、剥离法制备图形的薄膜的的基本步骤是：213,光刻的图形化，沉积薄膜，去除光刻胶。12、传统的投影曝光机，实现的最小线宽是（1个波长）。13、体硅制造主要涉及部分材料从基底上的：（2）减除14、体硅制造中主要采用的微加工工艺：腐蚀15、各

4、向同性腐蚀在微制造中效果不理想，原因：3难以控制腐蚀方向16、硅的（）晶向之间的腐蚀速率是400:1：【100】和【111】17、硅晶体中（111）晶而和（100）而的夹角为：54.7418、各向异性与各向同性腐蚀，腐蚀速率相比：更快19、K0H腐蚀剂对二氧化硅的腐蚀速率要比对硅的腐蚀速率：慢100倍20、氧化硅的抗腐蚀性比二氧化硅：更好21、材料选择比高，作为掩膜能力：越好22、在HNA腐蚀液中，掺杂硅片的腐蚀速度速率：更快23、在湿法腐蚀中凸角处会和掩膜的图形不一样24、湿法腐蚀时，保留下来的是腐蚀速度：最慢的晶面25、湿法腐蚀的腐蚀深度控制技术有：（1）P

5、-N结停止腐蚀停止技术；（2）浓硼腐蚀停止技术（3）中间层停止技术26、P-N结腐蚀停止技术又叫做：（1）偏压腐蚀（2）电化学腐蚀27、在（100）硅片的湿法腐蚀中，腐蚀出来的线条会沿（110）晶向族28、在（110）硅片的湿法腐蚀中，掩膜上的线条必须沿晶向族（111）29、采用湿法腐蚀，下述硅片能实现高深宽比的有（110）30、硅的过分掺杂会导致：残余应力31、湿法腐蚀可以在（P-N掺杂硅）边界停止32、如图所示，制备在（100）硅片上的U形氮化硅掩膜对硅片进行K0H湿法腐蚀，最终获得的微结构是（氮化硅的悬臂梁）四、干法1、反应离子刻蚀的激励包括（1）等离子体

6、增强化学气相反应（2）溅射轰击2、DRIE代表：深层反应离子刻蚀3、DRIE的主要工艺方法有（1）亥0蚀和侧壁保护顺序进行的方法（2）刻蚀和侧壁保护同时进行的方法4、在BOSCH和低温两种DRIE刻蚀工艺中，侧壁更为光滑的是（2）低温工艺5、在RIE刻蚀中，深宽比越大，刻蚀速率越慢6、在干法刻蚀中，掩模板的线条与硅片晶向的关系为（无关系）7、干刻中刻蚀硅的气体有：四氟化碳，四氟化硫8、氟基气体干法刻蚀硅片在本质上是：各向同性的9、表而硅制造中主要采用的微加工工艺为：薄膜沉积五、表而加工方法1、PSG代表：（2）磷硅酸盐玻璃2、表而微加工中牺牲层被用于：在微结构中

7、产生必要的几何空间3、表而微加工中最常用的结构材料是：二氧化硅4、在表而微加工中，牺牲层的腐蚀速率与其他层的腐蚀速率相比必须：快5、粘连存在于：表而微加工6、在由表而微加工制作完成的微结构中，粘连会造成：层间原子力7、可用于减少粘连的方法主要有：（1）表而厌水处理（2）干法释放（3）在粘连而上设计凸点8、设计的平面微结构经表面加工后向上弯曲，说明薄膜中存在拉应力9、薄膜应力的主要类型是：(1)热应力(3)生长应力10、薄膜的制备温度越高，热应力越：大11、减少应力的方法主要有：(1)优化薄膜制备工艺(2)退火处理(3)多层薄膜应力补偿。12、多晶硅被普遍应用的原

8、因是它被制成：掺杂的半导