基于新型外延系统的原位掺杂法制作硅基光伏器件

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1、实验组成员：基于新型外延系统的原位掺杂法制作硅基光伏器件电池发展历史和现状原理简述新型外延系统简介目录探索过程和器件制作流程成果展示结论与展望太阳能电池发展的历史与现状基本原理简述离子注入原位掺杂扩散掺杂新型外延系统简介器件制作流程硅片制作清洗LPCVD外延生长电极与器件制作器件制作流程硅片的制作与清洗外延生长T(℃)t(min)室温60min200℃120min250min800℃280min器件制作流程制作电极和器件镀银热转印刻蚀镀铝连接导线制成器件刻蚀液：10%硝酸+40%磷酸+20%乙酸器件制作流程初步探索与尝试编号温度（℃）压

2、强（pa）SH4（sccm）PH3（sccm）掺杂比反应时间（min）1800150016081/200015~202600150016081/200015~203800150016081/200020~30480015001601.61/1000015~20改进585015008021/400020~30685011004011/400020~30生长出各式各样的硅片初步探索与尝试外延生长后的硅片展示600℃，无明显生长800℃，可见明显外延层初步探索与尝试外延生长后的测试断层扫描电镜图：外延层厚度的测量有氧化痕迹进一步确认成功外延生

3、长P已成功掺入初步探索与尝试外延生长后的测试XPS：外延层元素检测外延层是非晶硅初步探索与尝试外延生长后的测试XRD：外延层晶体结构的检验初步探索与尝试光电转换：初步结果，0器件的光伏特性检测最佳反应条件总结与改进：放入前--氢氟酸做硅片保护反应中--SiH4:PH3=40:1反应后--切边+镀铝后磷酸去边最佳的反应条件：Si:P=40:1，P=900~1300pa，T=800℃伏安特性曲线测试结果展示展望未来在任何基底上外延薄膜催化刻蚀纳米棒再次保形外延，制作径向PN结得到新一代太阳能电池展望未来径向PN节的制作感谢聆听2012年12

4、月