模拟电子技术基础选择题

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1、实用标准文档模拟电子技术基础选择题2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________载流子。A.有B.没有C.少数D.多数2.1.2·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对2.1.3半导体中的载流子为_________。A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴2.1.4.N型半导体中的多子是_________。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2.1.5.P型半导体中的多子是_________。A.电子B.空穴

2、C.正离子D.负离子2.2.1·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。A.大于B.小于C.等与2.2.2·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。A.大于B.小于C.等于3.2.11在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定3.2.12·在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定3.2.13·既能放大电压，也

3、能放大电流的是_________组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.6.10·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的文案大全实用标准文档相位_________。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定3.6.12·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.6.13·可以放大电流，但不能放大电压的是_________组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.6.14·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态

4、中，电压放大倍数小于1的是_________组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.6.15在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是_________组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.6.16在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是_________组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.6.17在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是_________组态。A.共射B.共集C.共基D.不确定3.7.10·多级放大电路与单级放大电路相比

5、，总的通频带一定比他的任何一级都_________。A.大B.小C.宽D.窄3.7.11多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。A.大B.小C.宽D.窄3.7.12多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_________。A.大B.小C.宽D.窄·4.1.1场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。文案大全实用标准文档A.电流B.电场C.电压4.1.2场效应管是_________器件。A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流4.1.3·三极

6、管是_________器件。A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流4.1.4结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流4.1.5·场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。A.少子B.电子C.多子D.两种载流子4.1.6P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。A.正值B.负值C.vGS D.零4.3.1·N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________。A.正值B.负值C.零4.

7、3.2·P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。A.正值B.负值C.零5.1.2·所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，_________。A. 晶体管上得到的最大功率B.电源提供的最大功率C.负载上获得的最大直流功率D．负载上获得的最大交流功率5.1.3·所谓效率是指_________。A.输出功率与输入功率之比B.输出功率与晶体管上消耗的功率之比C.输出功率与电源提供的功率之比D.最大不失真输出功率与电源提供的功率之比5.1.4·甲类

8、功放效率低是因为_________。A.只有一个功放管B.静态电流过大C.管压降过大5.1.5功放电路的效率主要与_________有关。A.电源供给的直流功率B.电路输出信号最大功率C.电路的工作状态文案大全实用标准文档5.1.6在甲类放大电路中，放大管的导通角等于_________。A.180B.360C.2705.1.7在乙类放大电路中，放大管的导通角等于_________。A.180B.360C.2705