snubber电路总结1.pdf

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1、电阻的用法一、RC-SNUBBER电路Snubber电路中文为吸收电路。公司的板子上，其最常应用场合如下图所示。VCC5R398.2K1%+CE33+CE34C351C3611C371220uF10V220uF10V22uF25V22uF25V0.1uF16VC401000PF50V4DQ141GFDD8880MAX:11AR440Ω5%SUGATE_UEOCP:13AVCC1_8DDR3L41.7uH,13A,DCR6.36mΩ412DQ15R46FDD88962.2Ω5%+CE35+CE361C45C4611C47LGATE_UE1GR4

2、810uF16VS1C48470uF4V470uF4V22uF25V0.1uF16VR49X_10K1%31000PF50V2.21K1%C491X_0.01uF25VC52112PF50VUD_COMPR5033K5%C5410.01uF50VR511.78K1%为了便于说明问题，将上图简化。实际的没有snubber的电路中各点的波形如下图所示。从上图的波形即客观现象表明在PHASE点会出现电压尖峰。这种尖峰会对L-MOS造成威胁，根据电源组同事的观察，有些板子的L-MOS经常烧坏或寿命大幅缩短，就是PHASE点电压尖峰造成的。实际测量没有

3、SNUBBER的PHASE点波形如图所示（上图红圈内的波形放大）。造成电压尖峰及其危害的原因是什么呢？为了更严谨更准确说明电路的工作情况设想模型如下。上图分别是电路中寄生电感和MOS管极间等效电容的示意图。简化之后如下图。+寄生电感v储能大电感PHASEIMOS管的等效电容负载滤波电容线路上的等效电阻-上图虚线框内的是PHASE后的线路，由于有储能大电感的存在，瞬时变化的电流I不能通过进入虚线框内。所以对瞬时（高频）电压电流而言，其路径只能是通过L-MOS。为了验证这种设想的真实性，本文建立仿真模型进行验证。2VL12n1V1=0V1VV2=

4、5TD=30nsITR=500pTF=PW=PER=0R10.10V0电压源是一个上升沿模仿H-MOS导通的动作。电容模仿L-MOS的等效电容大概有500pF。电感模仿电路上的寄生电感。电阻模仿线路上的等效电阻。仿真波形如下。红色为PHASE0V点电压，黄色为PHASE点电流，绿色为输入电压。和实际没有snubber电路的PHASE点波形比较。可以发现两者在波形特征是很相似的。所以可以基本认为，设想的模型是能说明问题的。分析产生电压尖峰的原因。将上图放大。得下图。红色为PHASE点电压，黄色为PHASE点电流，绿色为输入电压。时间段1（30n

5、s~A）：H-MOS管导通，5V电压输入。寄生电感中的电流以正弦波的形式增大。同时这个增大的电流给L-MOS的等效电容充电，使得PHASE点的电压上升。时间段2（A~B）：当PHASE点电压达到5V时，则寄生电感两端的电压开始反向。但寄生电感中的电流不能瞬变，而是以正弦波的形式减小。这时这个减小的电流也在给L-MOS的等效电容充电，使得PHASE点的电压继续上升。时间段3（B~C）：当寄生电感中的电流减小到0时，L-MOS的等效电容刚好充电到最多的电荷形成PHASE点的电压极大值。此时PHASE点的电压大于输入电压，则电容开始放电PHASE点

6、电压开始减小，电感的电流反向开始增大。时间段4（C~D）：当PHASE点电压减小到5V时，电感两端的电压有反向了，电流（标量）开始减小，电容中的点放完，但由于电感中的电流还存在，电容被反向充电。PHASE点电压继续下降。综上所述，电压尖峰是由于寄生电感不能瞬变的电流给L-MOS等效电容充电造成的。而振荡是由于电感和电容的谐振造成的。实际电路中多余的能量大部分是由L-MOS的内阻消耗的。这部分多余的能量等于PHASE点电压为5V时，电流在电感中对应的电磁能。由于等效电容很小，所以多余能量（电荷）能够在电容两端造成较大的电压。所以减小电压尖峰的方

7、法是减小流入等效电容的电荷数量。对于振荡则可以选择阻尼电阻一方面减少振荡次数，一方面减小L-MOS的消耗能量。因此设计出了snubber电路。如图所示。+v寄生电感IPHASEMOS管的等效电容Snubber电阻线路上的等效电阻-Snubber电容RC-snubber电路从两个方面去解决电压尖峰的问题。1、对PHASE点电压等于输入电压时的电感电流分流，这样使得流入L-MOS等效电容的电流大大减小。而snubber电容的容值选取较大，吸收了多余的能量后产生的电压不会太大。这样使得PHASE点的电压尖峰减小。2、RC中的电阻起到阻尼作用，将谐振

8、能量以热能消耗掉。仿真结果如下2VL12nR2I2.21V1=0V1VV2=5TD=30nsI3000pTR=500pTF=PW=PER=0R10.10V0红色为P