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1、用万用表测试电阻器、电容器、二极管、三极管质量好坏的方法：1.1电阻（Ｒ）电阻的故障是实际阻值与标称阻值不符，因此，用万用表欧姆即可测出电阻的好坏。通常电阻的故障是开路（万用表测量电阻值无穷大），电阻短路的故障极为少见。1.2电容（Ｃ）电容器的常见故障一般可归为两类，一类是击穿（电容器两极板因某种原因造成短路和漏电（电容器的绝缘电阻小于正常值），另一类是开路（电容器内部引线与极板断开，这时电容器已没有容量）和失效（电容器的容量小于正常值）。电容器漏电和击穿的测量：将万用表拨置×１０Ｋ档（测量电解电容器时用×１Ｋ档），测量时万用表指针首先向Ｒ为
2、零的方向摆地去，然后又向Ｒ为无穷大的方向退回，待表针稳定以后指示的电阻值就是电容器的绝缘电阻（对于电解电容器这时万用表的黑表笔必须接电解电容器的正极。实验证明电解电容器的绝缘电阻一般应在几百千欧姆以上，其它电容器的绝缘电阻在几十兆欧姆以上，若绝缘电阻值此小于上述数值，即表明电容器的漏电不宜使用。绝缘电阻越小，漏电越严重，绝缘电阻为零，说明电容器已被击穿。1.3二极管（D）二极管的主要特征：单向导电特性，用万用表×１Ｋ档量二极管正向应有一定阻值，而反向为无穷大，如果反向测有阻值，证明二极管已被损环。1.4三极管（Q）三极管由两个ＰＮ结组成，根据
3、ＰＮ结的单向导电性，可以很容易地将基极判别出来，将万用表拨置×１Ｋ欧姆档，然后任置假设三极管的一只脚为基极，将万用表的黑表笔搭上，用红表笔分别接另外两个管脚，如果两次测量的电阻值都较小（正向电阻），且将红笔接在假定为基极的管脚上，黑表笔分别接另外两个管脚，阻值都很大（反向电阻），则假定正确，该脚即为基极。三极管的损坏主要是开路或短路，按此方法可简单地判别三极管是否损坏。2电磁炉原理分析2.1基本工作原理电磁炉打破传统热传递的加热方式，采用磁场感应,涡流加热原理.它利用电流通过线圈产生磁场,当磁内之磁力线通过锅的底部时,在锅内部产生无数的小涡流
4、,使锅本身高速发热，然后加热于锅内的食物。注：对锅具的要求1、锅具材质要求是铁质或电磁炉专用不锈钢锅而且能与电磁炉面紧密接触。2、底部有经过含铁覆膜加工的任何材质的锅具都能使用。2.2电磁炉的特点：1、采用微电脑控制，体积不大，重量轻，操作简单，使用方便。2、采用电磁感应加热原理，具有加热速度快，热效率高等特点3、电磁炉热效率可达92％以上。无明火，无烟，无废气，安全性好，清洁卫生。4、灵活操作，煎、炸、炒、煮样样都行。2.3特殊元器件2.3.1LM339集成电路LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+
5、输入端电压高于-入输端电压),置于LM339内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高于+输入端电压),置于LM339内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。2.3.2IGBT绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶
6、体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。2.3.2.1IGBT的特点:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损
7、坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。2.3.2.2IGBT规格型号：目前因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:（1）SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速
8、恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。（2）SKW25N120----西门子公司出品,耐
