低介装置陶瓷ppt课件.ppt

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1、§2-1低介装置瓷的基本知识§2-2典型低介装置瓷§2-3低温共烧陶瓷第二章低介装置陶瓷第6章Internet应用基础§2-1低介装置瓷的基本知识§2-1-1低介装置瓷的概念用于电子技术、微电子技术和光电子技术中起绝缘、支撑、保护作用的陶瓷装置零件、陶瓷基片以及多层陶瓷封装等的瓷料。例如:高频绝缘子骨架、电子管底座、电阻器基片、厚薄膜混合集成电路基片、微波集成电路基片等。第6章Internet应用基础陶瓷基片陶瓷封装电子用陶瓷零件§2-1低介装置瓷的基本知识第6章Internet应用基础§2-1-2低介装置瓷的性能1.电性能:a、介电系数低

2、,≤10b、介电损耗小,tg为2×10-4~9×10-3c、抗电强度高,≥10kv/mmd、绝缘电阻高,>1012Ω·㎝(20℃)2.机械性能:a、抗弯强度(45~300)MPab、抗拉强度(400~2000)MPa3.热性能:a、线热膨胀系数小b、热导率高c、耐热冲击、热稳定性好§2-1低介装置瓷的基本知识第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷§2-2-1滑石瓷§2-2-2氧化铝瓷§2-2-3高热导率陶瓷基片§2-2-4透明陶瓷第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷§2-2-1滑石瓷1、滑石的结构滑石瓷分子

3、式:3MgO·4SiO2·H2O滑石矿为层状结构的镁硅酸盐,属单斜晶系,[SiO4]四面体联结成连续的六方平面网,活性氧离子朝向一边,每两个六方网状层的活性氧离子彼此相对,通过一层水镁氧层联结成复合层。复合层共价键离子键分子键第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷2、滑石的相变120~200℃,脱去吸附水1000℃,脱去结构水,转变为偏硅酸镁1557℃,再次失去Si,生成镁橄榄石7第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷呈单链状辉石结构,它有三种晶型:顽辉石原顽辉石斜顽辉石偏硅酸镁原顽辉石是滑石瓷的主晶相,有少量

4、斜顽辉石第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷3、滑石瓷存在的问题及解决方案(1)老化(2)开裂(3)烧结温区过窄第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷(1)老化(粉化):老化原因:防老化措施:a.用粘度大的玻璃相包裹晶粒,防止相变b.抑制晶粒生长c.去除游离石英第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷(2)开裂开裂原因:防开裂措施:a.1300~1350℃高温预烧b.热压铸成型11第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷(3)烧结温区过窄MgO-Al2O3-SiO2系统的最低共熔点为13

5、35℃,其组成为MgO(20%)、Al2O3(18.3%)、SiO2(61.4%),与滑石瓷的组成非常接近,故滑石瓷在1350℃左右开始出现液相,并随温度的升高,液相数量急剧增加,使胚体软化、变形、甚至报废。由于粉料经高温预烧后活性下降,烧结温度过低会出现生烧。因此滑石瓷的烧结温区一般为10~20℃。第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷扩大烧结温区的措施:扩展下限:a)、提高粉料的活性:粉料细化,降低预烧温度或采用一次配料成瓷;b)、加入助熔剂BaCO3:在800℃~950℃出现Ba-Al-Si玻璃,包裹偏硅酸镁晶粒促进烧结

6、;扩展上限:a)、提高玻璃相黏度:b)、加入阻制剂ZrO2、ZnO,使Mg-Al-Si液相黏度大,胚体不易变形。第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷4、滑石瓷的用途滑石瓷便宜,但热稳定性差,主要用于制造绝缘子线圈骨架波段开关管座电阻基体第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷5、其他滑石类瓷简介(1)镁橄榄石瓷(MgO·SiO2)(2)堇青石瓷(2MgO·2Al2O3·5SiO2)第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷(1)镁橄榄石由P29表2-3可知:a、镁橄榄石瓷在高温、高频下介电性能优于滑石瓷

7、;b、高温下,绝缘电阻高;c、热膨胀系数与Ti-Ag-Cu或Ti-Ni合金相匹配,有利于真空封接;d、可作金属膜电阻,碳膜电阻和绕线电阻的基体以及IC基片;e、线膨胀系数大,抗热冲击性能差;第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷(2)堇青石瓷a、线膨胀系数小,室温到800℃:0.9~1.4×10-6/℃,陶瓷材料中最小。b、烧成温度范围很窄(几度)。c、材料中离子排列不够紧密,晶格内存在大的空隙,很难烧结。d、机电性能差。改进措施:i.超细粉料<1µm;ii.加入矿化剂(长石、LiF、B2O3、BaCO3等);iii.制成多孔

8、陶瓷;iiii.制成低热膨胀、高机械强度的陶瓷材料(掺加刚玉)。第6章Internet应用基础§2-2典型低介装置瓷§2-2-2氧化铝瓷1、氧化铝瓷的分类、性能与用途2、氧化铝瓷

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