eis型光寻址电位传感器ⅰ-f特性研究

eis型光寻址电位传感器ⅰ-f特性研究

ID:5288048

大小:214.39 KB

页数:3页

时间:2017-12-07

eis型光寻址电位传感器ⅰ-f特性研究_第1页
eis型光寻址电位传感器ⅰ-f特性研究_第2页
eis型光寻址电位传感器ⅰ-f特性研究_第3页
资源描述:

《eis型光寻址电位传感器ⅰ-f特性研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、2014钲仪表技术与传感器2014第1期InstrumentTechniqueandSensorNo.1EIS型光寻址电位传感器一.厂特性研究秦月香,李学亮,袁志伟,梁晋涛(桂林电子科技大学生命与环境科学学院,广西桂林541004)摘要:光源调制频率是影响EIS型光寻址电位传感器性能的一个关键因素。构建光电流信号,与调制频率,之间的数学关系对LAPS传感器的研制有着重要的意义。基于LAPS传感器的工作机理,提出了等效电路模型,通过数值仿真得到了,一厂关系曲线。通过CHI660D型电化学工作站搭建了LAPS系统测量平台,得到了实

2、际的,一_厂特性。通过对比,实测曲线和模拟曲线基本吻合,进而说明建立的等效电路模型是可行的。关键词:LAPS;光源调制频率;光电流;等效电路中图分类号:TP212.3文献标识码:A文章编号:1002—1841(2014)0l一0001—02Research0nEIS—typeLight·addressablePotentiometricSensor~/-fCharacteristicQinYue—xiang,LiXue—liang,YuanZhi—wei,LiangJin-tao(Dept.ofLifeandEnvironme

3、ntalSciences,GuilinUniv.ofElectronicTechnology,Guifin541004,China)Abstract:Lightsourcemodulation~equencyisanimportantparameterintheEIS—type(electrolyte—insulator—semiconductor)light—addressablepotentiometricsensor(LAPS).Constructingthemathematicalrelationshipbetween

4、photocurrentsignal(,)andmodulation~equency(f)ismeaningfulwhilestudying,APS.Anequivalentcircuitmodelbasedonthesensor'sworkingmechanismwasputforwardthenwegotanl一}curvebynumericalsimulation.Ontheotherhand,LAPSsystemmeasuringplatformwascon—struetedbyelectrochemicalworks

5、tationofCHI660D.AndtherealI-fcurvewasobtained.Theresultshowsthatthemeasuredcurveandsimulationcurvewereconsistentandthentheequivalentcircuitmodelisfeasible.Keywords:LAPS;lightsourcemodulationfrequency;photocurrent;equivalentcircuit0引言来得及复合的电子空穴对扩散到达耗尽层,在耗尽层内建电场光寻址电位传

6、感器⋯(LAPS)是由D.G.Haleman等人在上作用下发生分离。由于绝缘层的存在,此时在外电路可以检测世纪80年代提出的,与传统的电极分析法相比,LAPS具有灵到交变的光生电流。敏度高、稳定性好的优点,且更容易实现阵列化、微型化。LAPS技术是生物传感器界的一次革命,使得对细胞、DNA等大分子检测成为一种可能,具有深远的科学意义。然而,影响LAPS输出特性(光电流,)的因素有很多,主要包括光源调制频率(频率、光强、硅基底厚度以及敏感膜稳定性等J。其中,光源调制频率是影响其输出特性的重要因素之一,传统方法对光源调制频率的研究

7、停留在探索搜寻阶段,没有从本质理论上出发进行深入探究。文章在控制其它影响因子恒定的情况下,着重对光源调制频率与光电流之间的关系进行了研究。1一电解质溶液;2一敏感膜;3一绝缘层;41LAPS工作原理一耗尽层;5一基底层;6一欧姆接触;7一电EIS型光寻址电位传感器(LAPS)的工作原理,如图1所流表;8一偏置电压;9一控制电极;10一光示。其机理实质上是半导体的内光电效应,以P型硅为例,在源正偏置电压的作用下,半导体内部的载流子(电子和空穴对)相图1EIS型光寻址电位传感器的工作原理对运动,在绝缘层和半导体的界面处形成了一定宽

8、度的耗尽1.1LAPS等效电路模型层。当用一定频率的调制光照射LAPS器件的硅基底时,半导LAPS的模型电路如图2所示。图中表示光电流‘,、体内部的电子吸收足够量的光子后形成价带跃迁,产生大量的分别表示耗尽层的电阻和电容。C代表绝缘层和溶液总的等电子空穴对。在调制光作用下电子

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。