大功率白光led封装技术面临的挑战

《大功率白光led封装技术面临的挑战》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、万方数据第8卷．第2期电子与封装总第58期V01．8．N。．2ELECrRONICS&PACKAGDiG2008年2月回@@④④t面佾管大功率白光LED封装技术面临的挑战·田大垒。王杏，关荣锋(河南理工大学材料科学与工程学院，河南焦作454003)摘’要：发光二极管(LED)是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件。具有一系列优异特性，被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的

2、作用做了简单介绍，重点论述了封装的关键技术，包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术。最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。关键词：LED；封装；共晶焊；倒装焊；散热中图分类号：TN312．8文献标识码：A文章编号：1681-1070(2008)02—0016一04Pad【agh唱1KllIli咖CllaUengesof碰gh-powerⅧ舭LEDTL～NDa-lei，WANGXiIIg，GUANRong-feng(觑积糖纪够A缸纪一咖＆拓珏∞口以E拜gf终韶一羟g'敝撒嚣乃移泐是咒主c￡协fw坶f钐如睨llD454003，劬l船)Ab

3、s白mct：P孔kagingaec嘶q∞istIlekeyfbfLED朋teringt11egeneralmuIIlinaljon．htestre蛾邸hpnoducti吣aboutLEDchips锄dpackagingfunctionsamin删uced，technic“keysofpackaginga陀discusscd，includinge劬ecticbondin岛flip-ctlipbondingandcoolingtechnoIogy，mefu眦扛℃nds硼dchallengesofLEDpackagingtechnologyarepr

4、eserltcdinthecnd．Keywords：LED；packaging；eutecticbonding；flip劬ipbonding；coolingl引言发光二极管(LED)是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件，具有寿命长、体积小、发光效率高、响应时间短、光色纯、结构牢固、性能稳定、可靠性高、节能环保等一系列优异特性，被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED的最高流明效率在50lm。wd左右．还远达不到家庭日常照明的要求。为了提高功率型U’D发光效率，一方面发光芯片的效率有待提高；另

5、一方面．功率型LED的封装技术也需进一步提高，从结构。’设计、材料及工艺技术等多方面入手，提高产品的封装取光效率。大功率白光LED是未来照明的核心部分，进入2l世纪后．LED的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新。面对巨大的市场机会，世界各大公司加大了对芯片及其封装技术的研发力度，以期解决两个技术关键：如何提高发光效率和如何提高器件总的光通量⋯，LED芯片和封装不能再沿袭传统的设计理念与生产模式，寻找新的导热性能优良的封装材料，优化封装结构。改进封装工艺．增强LED内部产生光子出射的几率，提高光效，解决散热，改进光学性能，加速大功率LED产品

6、用于普通照明进程更是产业界研发的收稿日期：200r7·09-05·基金项目：河南省重点科技攻关资助项目(072102240027)．河南理工大学博士基金资助项目(648602)，河南理工大学研究生学位论文创新基金资助项目(644005)．16．万方数据第8卷第2期田大垒。王杏，关荣锋：大功率白光LED封装技术面临的挑战主流方向。2大功率LED芯片大功率高亮度半导体照明芯片的开发是半导体照明产业化工程的关键技术之一，从芯片的演变历程中发现，各大LED生产商在制造芯片技术上不断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度、采用氧化铟锡(ITO)透明电极改

7、变LED芯片的电流能分布均匀性等，使LED芯片在结构上尽可能多产生光子；六边形突起的蓝宝石衬底可散射更多有源层发射光，有效提高LED取光效率；利用亚光表面增加光线的透出等等。LED芯片制造商不断研发出新品，进一步提高了芯片的发光效率。台湾大功率LED封装制造商艾迪森(EdisonOpto)公司的Edixeon大功率KLC8系列整合了艾迪森最先进的封装技术。在lA驱动电流下光通量为250lm。350mA下光效为100lm‘w～．且寿命超过5万小时。Cr∞公司推出了基于EZBright删1000芯片的1601m白光大功率LED。日本LED芯片制造商

8、日亚(Nichia)采用MOCVD法制备出的芯片光通量达106lm(350mA)，与30w白炽灯的总光通量相当。首尔半导体单芯片白光LED在350mA