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时间：2020-04-28
《半导体器件物理第三章PN结作业.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第三章作业题2.硅突变结二极管的掺杂浓度为ND=1015cm-3，NA＝4×1020cm-3，在室温下计算：（1）内建电势差；（2）零偏压时的耗尽区宽度;(3)零偏压下的最大内建电场。1.推导PN结空间电荷区内建电势差公式：3.推导加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式：4.推导杂质分布公式：5.长PN结二极管处于反偏压状态，求解下列问题：（1）解扩散方程求少子分布np（x）和pn（x），并画出他们的分布示意图。（2）计算扩散区内少子存储电荷。6.把一个硅二极管用做变容二极管，在结的两边的掺杂浓度分别为ND=1015cm-3，NA＝1019cm-3，求在反偏
2、电压为1V和5V时的二极管势垒电容（忽略二极管截面积的影响）。7.一理想硅p-n结二极管，NA=1016cm-3，ND=1018cm-3，p0=n0=10-6s，ni=9.65×109cm-3，Dn=30cm2/s，Dp=2cm2/s，器件面积为2×10-4cm2，计算室温下饱和电流的理论值及±0.7V时的正向和反向电流值。8.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结空间电荷区的形成。9.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。第二章作业答案n超量载流子注入一厚度为W的薄n型硅晶的一个表面上，并于另一个表面上取出，而其pn(W)=pno,在03、没有电场。
3、没有电场。
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