电力电子技术实验课件

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1、电力电子技术实验课件序号实验项目学时类型性质1SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验2验证必做2三相桥式全控整流及有源逆变电路实验4综合必做3直流斩波电路原理实验2验证必做4单相交流调压电路实验2验证必做SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验三相桥式全控整流及有源逆变电路实验直流斩波电路原理实验单相交流调压电路实验一、实验目的二、实验电路四、实验原理三、实验器件五、实验内容八、实验参考数据六、实验报告要求七、实验过程录像SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验十、实验常见故障现象及解决措施九、实验注意事项一、实验目的SCR、GTO、M

2、OSFET、GTR、IGBT特性实验1、掌握各种电力电子器件的工作特性。2、掌握各器件对触发信号的要求。二、实验电路图1新器件特性实验原理图SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验三、实验器件1、DJK01电源控制屏2、DJK04电机调速控制实验挂件3、DJK07新器件特性实验挂件4、BX7D-2/5型滑线变阻器5、万用表SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验四、实验原理将电力电子器件和负载电阻R串联后接至直流电源的两端，由DJK04上的给定为新器件提供触发信号，使器件触发导通。图中的电阻R用BX7D-2/5型滑线变阻器，接成并联形式（1.3A，50

3、0Ω），直流电压和电流表可从DJK01电源控制屏上获得，电力电子器件在DJK07挂箱上，直流电源从电源控制屏的励磁电源取得。SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验五、实验内容1、晶闸管（SCR）特性实验按图1接线，将晶闸管（SCR）接入电路，在实验开始时，将给定电位器沿逆时针旋到底，负载电阻R调至最大阻值位置，关闭励磁电压。按下“启动”按钮，打开DJK04的开关，然后打开励磁开关，缓慢调节给定输出，同时监视电压表、电流表的读数，使之指示接近零（表示管子完全导通），记录给定电压Ug、回路电流Id以及器件的管压降Uv。SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性

4、实验UgIdUv2、可关断晶闸管（GTO）特性实验将晶闸管换成可关断晶闸管（GTO），重复上述步骤，并记录数据。五、实验内容SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验UgIdUv3、功率场效应管（MOSFET）特性实验换成功率场效应管（MOSFET），重复上述步骤，并记录数据。五、实验内容SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验UgIdUv4、大功率晶体管（GTR）特性实验换成大功率晶体管（GTR），重复上述步骤，并记录数据。五、实验内容SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验UgIdUv5、绝缘双极性晶体管（IGBT）特性实验换成绝缘双极

5、性晶体管（IGBT），重复上述步骤，并记录数据。五、实验内容SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验UgIdUv六、实验报告要求1.实验目的;2．实验原理;3.实验器件;4．实验电路;5．实验内容及实验步骤;6．整理实验数据，并把实测数据与理论计算值比较分析产生误差原因；7．根据得到的数据，绘出各器件的输出特性。8.实验总结。SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验七、实验过程录像SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验八、实验参考数据SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验1、晶闸管（SCR）特性实验Ug(V)00.500

6、.781.002.20Id(A)000.440.440.44Uv(V)230230000Ug(V)01.003.663.803.96Id(A)000.060.270.44Uv(V)2302302005002、可关断晶闸管（GTO）特性实验八、实验参考数据SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验3、功率场效应管（MOSFET）特性实验Ug(V)01.005.075.435.56Id(A)000.060.350.43Uv(V)230230200500Ug(V)01.024.755.166.75Id(A)000.220.440.44Uv(V)230230100004、大功

7、率晶体管（GTR）特性实验八、实验参考数据SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验5、绝缘双极性晶体管（IGBT）特性实验Ug(V)00.600.610.661.22Id(A)00.060.350.440.44Uv(V)2302005000九、实验注意事项1、器件被触发导通的过程非常短暂，注意细心观察，详细记录。SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验十、实验常见故障现象及解决措施1、挂件无电源，应查看挂件保险丝是否完好。SCR、GTO、MOSFET、