机织物有效结构模型的电磁屏蔽效能影响因素.pdf

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1、第36卷第7期纺织学报Vo1．36．NO．72015年7月JournaIofTextileResearchJu1．，2015DOI：10．13475／j．fzxb．20140700908机织物有效结构模型的电磁屏蔽效能影响因素肖红，施楣梧，钞杉，唐章宏。，王群(1．总后军需装备研究所，北京100010；2．东华大学纺织学院，上海2016203．北京工业大学材料学院，北京100124)摘要基于对含金属纱线机织物的结构分析，提出该类织物的有效电磁屏蔽结构由金属纤维纱线构成；采用裸铜丝制备模拟织物中金属纱线排列的有效结构模型样品，改变其排列方式、排列间距

2、、交叉处及四周连通情况等的模型样品，用屏蔽室法获得1～18GHz范围内的屏蔽效能。结果表明：金属纱线排列间距是影响屏蔽效能的关键因素；金属纱线单向排列和双向排列样品的屏蔽效能一样，但是单向排列样品具有显著方向性；双向网格排列样品的网格尺寸影响其屏蔽效能。实验条件下金属纤维纱线交叉点处的连通情况对屏蔽效能影响不大，但尚需要进一步研究。关键词金属纤维纱线；电磁屏蔽效能；有效电磁屏蔽结构模型；排列方式；连通中图分类号：Ts106文献标志码：AInfluentialfactorsofelectromagneticshieldingeffectiveness

3、basedoneffectivewovenfabricsstructuremodelXIAOHong，SHIMeiwu，CHAOShan，TANGZhanghong，WANGQun(1．TheQuartermasterResearchInstituteoftheGeneralLogisticsDepartment，Beng100010；2．CollegeofTextiles，DonghuaUniversity，Shanghai201620，China；3．CollegeofMaterials日engUniversityofTechnology，Be

4、ng100124，China)AbstractBasedonthestructureanalysisofwovenfabriccomposedofmetalfiber，itisprovedthatmetalfiberyarnformsanefectiveelectromagneticshieldingstructure．Thebarecopperwireswereusedtopreparethesimulatedmetalfiberoffabriceffectivestructuralmodels．Thearrangement，arrangemen

5、tspacingandconnectedmannerbetweenthebarecopperwiresofthesamplesweredifferent．Theshieldingefectivenessofthesesampleswastestedbytheshieldingchambermethod，andthefrequencyrangewasfrom1—18GHz．Theresultsshowedthatarrangementspacingofthemetalfiberisthekeyfactoaffectingshieldingeffect

6、iveness．Theshieldingeffectivenessofthesamplewithunidirectionalarrangementofmetalfiberisthesameasthatwiththebidirectionalarrangement，buttheshieldingefeetivenessofthesamplewithunidirectionalarrangementmetalfiberhassignificantdirection．Withbidirectionalgridthegridsize，ofthesample

7、affectsitsshieldingeffectiveness．Underlaboratoryconditions，ifthejunctionofthementalfiberisconnectivity，theshieldingeffectivenesswillbechanged．Keywordsmetalfiberyarn；electromagneticshieldingeffectiveness；effectiveelectromagneticshielding．structuremode1；arrangement；connectivity电

8、磁屏蔽织物主要采用金属或金属化纤维(以手感发硬、表面金属特征明显。导电高分子涂层织下统称金属纤维)、织物金属化和导电高分子