锰掺杂氧化镍薄膜的电沉积及性能-论文.pdf

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1、!"#$年##月材!料!工!程!6(71891*!"#$第##期!第&%!页'()*+,-(./,01*2,-34+52+11*2+56(:##!;;:&%!锰掺杂氧化镍薄膜的电沉积及性能4-1@0*(=1;(3202(+,+=_*(;1*0213(./+M=(;1=62>VC2+P2-83陈!娜!苏!革!柳!伟!曹立新!马德文!戚新颖"中国海洋大学材料科学与工程研究院!山东青岛!&&#""$FJ466,!UEK1!RSE`12!FB>R2M[2+!/BL1MA1+!gST2+MD2+5"S+3020)01(./,01*2,-U@2

2、1+@1p4+52+11*2+5!>@1,+E+271*320D(.FC2+,!g2+5=,(!&&#""!UC,+=(+5!FC2+,$摘要!通过有机体系电化学沉积法制备了未掺杂及锰掺杂氧化镍薄膜!并通过U4/%4LU%紫外M可见分光光度计和电化学工作站对其形貌%成分%光学及电化学性能进行了研究&结果显示'薄膜由团聚颗粒构成!锰的掺入使团聚颗粒细化!随锰掺入量的增大!薄膜颗粒出现择优方向聚集!形成蠕虫状#锰掺杂还使薄膜的光学及电学性能得到改善!薄膜在II"%!#电致变色可逆性得到明显改善!响应"消色(着+8处的透光率差值由&Gj提高到HY

3、j!着色效率增至Y":H8F-@8色$时间有所减小&关键词!锰掺杂氧化镍薄膜#电致变色性能#有机体系电沉积!"#'#":##G&G(W:233+:#""#M$YG#:!"#$:##:"#!中图分类号!>$G$!!文献标识码!B!!文章编号!#""#M$YG#"!"#$$##M""&M"&$%&'()*''E+=(;1=,+=/+M=(;1=62>1-1@0*(@C*(82@0C2+.2-83A1*13D+0C132?1=9D1-1@0*(@C182@,-=1;(3202(+(+PV>@(+=)@02+55-,33132+(*5,+2@3D

4、3018:VC11..1@0(./+=(;2+5(+0C18(*;C(-(5D!@(8;(3202(+!(;02@,-,+=1-1@0*(@C182@,-;*(;1*0213(.0C162>.2-83A1*12+713025,01=9D81,+3(.3@,++2+51-1@0*(+2@82@*(3@(;1"U4/$!1+1*5D=23;1*313;1@0*(3@(;D"4LU$!)-0*,72(-10M72329-1"EaM723$3;1@0*(;C(0(8101*,+=1-1@0*(@C182@,-A(*Z30,02(+:VC1*13)-

5、033C(A0C,00C1/+M=(;1=62>.2-83,*1.(*81=9D3(811-,9(*,0271,55-(81*,01=;,*02@-13!AC2@C5*(A2+0(A(*8M-2Z1;,*02@-13AC1+0C1=(3,512392551*:VC1(;02@,-,+=1-1@0*2@,-;*(;1*0213(.62>.2-8,*128;*(71=9D/+=(M;2+5:VC10*,+38200,+@17,*2,02(+(.0C162>.2-8,0II"+8=(;1=A20C,8(=1*,01,8()+0(./+*1,M@C

6、13HYj!AC2-10C1)+=(;1=62>.2-823(+-D&Gj:VC1@(-(*,02(+1..2@21+@D2+@*1,313);0(Y":H%!!0C1*171*3292-20D28;*(713!,+=0C1*13;(+31"=1@(-(*,02(+(@(-(*,02(+$0281=1@*1,313:8F-@8+,-."(!&'/+M=(;1=62>.2-8#1-1@0*(@C*(82@;*(;1*0D#1-1@0*(@C182@,-=1;(3202(+2+(*5,+2@3D3018)I*!!电致变色即材料在外加正负交变电压

7、或电场的作62>!`>Y!V2>!!/(>Y!a!>I和S*>等&其中!氧用下!其光学性能"透光率%吸收率%反射率等$能发生化镍具有良好的电致变色性能和化学稳定性!在显示)#*)!*稳定的可逆变化的现象&!"世纪&"年代!_-,00器件%调光玻璃%信息存储和气体传感器等领域有着广泛的应用前景)&*&62>常由于62!d空位的存在而呈首次发现了电致变色现象!并引起人们的广泛关注&)Y*)$*现空穴导电!因此常作为一种宽禁带;型半导体材料!!"世纪G"年代R,8;1*0和K*,+N7230提出了电致)*变色灵巧窗"U8,*0A2+=(A$的概

8、念!成为电致变色研带隙介于Y:&1a至Y:H1a之间&目前!氧化镍薄究新的里程碑&经过多年的实践研究与探索!电致变膜仍存在着色效率较低和透光变化率不理想等缺陷!色材料以其独特的性