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时间:2020-06-03
《南昌大学材料科学研究所LED研发业绩介绍led.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、材料科学研究所部分研发业绩介绍2005年9月南昌大学处于中西部欠发达地区,在许多国家级和国防科研重大项目中都没有参与竞争的机会,学科发展条件相对不利。然而我们十多年来艰辛努力,锐意创新,扬长避短,取得了出色的业绩,为地方高科技产业发展作出了切实贡献。以下作一简要介绍。1、产业化-方大集团我校“教育部发光材料与器件工程研究中心”(图1)在2001年实现了蓝光LED材料的稳定生产,打破了我国这一高技术产品依赖进口的局面。该技术由深圳方大集团投入巨资在江西南昌成立股份公司(江西方大福科信息材料有限公司)实现产业化,图2为实施产业化的方大集团蓝光LED材料生产
2、系统。该技术转让、股权和最后被收购的情况可见互联网上公布的方大集团2004年度报告中有关陈述(附件1)。我校获得技术股权转让费450万元。图1南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心主楼图2方大蓝光LED外延材料生产系统2、产业化-联创光电发光中心2003年将绿光/紫光LED材料的生产技术转让到江西联创光电科技股份有限公司,技术转让费400万元,实施国家高技术产业化示范工程项目.图3为实施产业化的江西联创GaN材料生产系统.图3联创光电GaN材料生产系统3.最新成果-硅衬底蓝光LED材料及器件发光中心研制的具有自主知识产权的硅衬底蓝光LED材料及器件(
3、已公开发明专利6项),国际顶尖级同行专家评价为目前国际上最好结果.图4为硅衬底蓝光LED发光照片.附件2为“全国生产力促进中心”网站上的有关报道。硅衬底蓝光LED生产成本是蓝宝石衬底蓝光LED的1/2,是一条非常有竞争力的半导体照明技术路线(成果证明人:中国工程院陈良惠院士).目前有20多家国内外企业欲投资这一项目,其中美国4家投资基金联合正在与我校洽谈产业化事宜。图4硅衬底蓝光二极管4、生产型MOCVD设备国产化攻关生产型MOCVD外延薄膜生长设备制造为少数国家垄断。48所和我校发光中心联合研制的生产型蓝光材料生长系统MOCVD.本项目是863光电子
4、主题资助强度最大的一个项目.2005年9月2日在我校通过863新材料领域光电子主题组织的验收,评价为国际同类设备先进水平(成果证明人:863光电子主题专家组组长清华大学陈皓明教授.)图5为该设备外观。图5国产化生产型MOCVD外延蓝光生长系统5、自行研制ZnO晶体MOCVD外延生长系统图6为发光中心自行研制的ZnO-MOCVD系统,本设备设计制造技术转让到沈阳聚智公司进行量产。研究生用此设备生长出高质量ZnO单晶膜,2005年发表和录用SCI源刊论文12篇.图6自行研制的ZnO晶体MOCVD外延生长系统
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