《模拟电子电路》练习册.doc

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1、《模拟电子电路》练习册第一、二章练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为_______运动，另一种称为______运动。2．半导体中有两种载流子：一种是______、另一种是______。3．半导体中的扩散运动是由于载流子而引起的。4．半导体中的漂移运动是由于载流子而引起的。5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目。6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成_______型半导体。7．在本征半导体中加入三价元素后,将形成________型半导体。8．N型半导体中空穴是载流子。9．P型半导体中空穴是载流子。10．P型半导体中自由电子是载流子。11．N型

2、半导体中自由电子是载流子。12．PN结中的电流当温度升高时将会。13．二极管的主要特性是它的。14．二极管的正向电阻比反向电阻____________得多。15．二极管的伏安特性是I=____________。16．硅管的门限电压约为_____________V。17．锗管的门限电压约为_____________V。18．稳压二极管稳压时应工作于___________区。选择21.N型半导体或P型半导体都属于_________(本征半导体；杂质半导体）22.半导体中的扩散运动是由于____________（电场的作用；载流子浓度的不均匀）而形成。23.二极管的反向电阻比正向电

3、阻___________(大;小)得多。24.PN结中载流子的漂移运动是由于___________(载流子浓度不均匀；电场的作用)而产生的。25.MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻________(大得多；小得多)26.PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层_______(变窄；变宽），流过PN结的电流_______(很小；很大）。27.P型半导体中空穴是____________(少数载流子；多数载流子）。28.N型半导体中自由电子是____________(少数载流子；多数载流子)。判断29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生__________(空穴；自由电

4、子），形成________(N；P)型半导体。30.P型半导体中空穴是多数载流子。()31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动相同。（）32.二极管的反向电阻比正向电阻大得多。（）简答33.试述何谓P型半导体与N型半导体？34.试述什么是半导体中的扩散运动与漂移运动？35.列举出PN结的至少三个主要特性是什么？36.说明二极管特性曲线中三个区域的特点是什么？37.什么是二极管的单向导电性？计算38.二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAo。设二极管是理想的。a)b)39.电路如图所示，电源us为正弦波电压，试绘出负载RL两端的电压波形，

5、设二极管是理想的。a)b)40.电路如图所示，设V1=6sinωtV,试绘出输出电压Vo的波形。设D为硅二极管，使用恒压将(0.7V)模型(Vth=0.6V,rd=40Ω)进行分析。41.电路如图所示，设二极管是理想的。（1）画出它的传输特性；（2）若输入电压Vi=ui=20sinωtV,试根据传输特性绘出一周期的输出电压Vo的波形。第三章练习题填空1．三极管各极电流Ie、Ib、Ic、之间的关系为：_______________。2．三极管的共射极电路输入特性曲线表示_______与______之间的关系。3．三极管的共射极电路输出特性曲线表示_______与_______之

6、间的关系。4．温度升高时，三极管的β值________。5．三极管是________控制型元件。6．三极管工作在放大区时,应使发射结处于__________,集电结处于_______。7．当NPN型三极管的Vce<0.2V时,将工作在区。8．放大器的输出电压动态范围Uop-p是指输出电压的________值。9．放大器的电压放大倍数定义式为___________。10．放大器的源电流放大倍数定义式为___________。11．放大器的电流放大倍数定义式为___________。12．放大器的功率放大倍数定义式为___________。13．放大器的输入电阻定义为______

7、_____。14．放大器的输出电阻定义为___________。15．温度升高时，三极管的Icbo________。16．温度升高时，三极管的Ube________。17．放大器出现截止失真是因为Q点偏_____________。18．两个三极管复合后,其电流放大倍数ß=___________。19．放大器出现饱和失真是因为Q点偏_____________。20．共基极放大器的电流放大倍数。21．共集极放大器的电流放大倍数。22．共集极放大器的电压放大倍数。23．共基极放大器的输入电阻。24．共集极放大