集成电路的制造工艺.ppt

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1、第二章集成电路的制造工艺第一节　双极型集成电路的工艺流程第二节MOS集成电路的工艺流程第三节外延工艺第四节氧化工艺第五节化学汽相淀积(CVD)方法第六节掺杂技术第七节光刻工艺第八节刻蚀技术第二章集成电路的制造工艺第九节淀积工艺第十节表面钝化技术第十一节隔离技术第十二节　微电子技术的加工工艺环境第十三节衬底材料第一节双极型集成电路的工艺流程PN结隔离方法制造双极型集成电路的典型工艺流程。图1第二节MOS集成电路的工艺流程N沟道铝栅NMOS晶体管的制造工艺流程图1CMOS集成电路工艺流程CMOS反相器图2CMOS主要工艺流程图图3第三节外延工艺外

2、延技术的采用主要有以下优点：①利用外延技术可以提高高频大功率晶体管的频率和功率特性。②在双极型集成电路的制造工艺中，采用外延技术容易实现隔离。③利用外延技术可以根据需要方便地控制薄层单晶的电阻率、电导类型、厚度及杂质分布等参数。增大了工艺设计和器件制造的灵活性。外延生长的方法和原理汽相外延生长的设备图汽相外延生长的方法汽相外延生长原理其他外延技术液相外延：液相外延是一种在溶液中生长晶体的方法。液相外延的优点是可以得到高纯度的外延层。分子束外延：分子束外延实际上是一种直接淀积技术。分子束外延的优点是：能精确控制外延层的化学配比，杂质分布和外延层厚度。

3、第四节氧化工艺1二氧化硅的性质及其作用(1)二氧化硅的性质①二氧化硅是理想的电绝缘材料，实验表明，二氧化硅在室温附近相当宽的温度范围内性能稳定，电阻率很高。②二氧化硅的化学特性非常稳定，③实验证明某些杂质在二氧化硅中的扩散系数比在Si中的要小，因而可以用二氧化硅膜作扩散的掩蔽层。④二氧化硅的电容性能是用介电常数表征的。(2)二氧化硅膜的作用①在MOS集成电路中，二氧化硅层用做MOSFET的绝缘栅介质②二氧化硅层可以用做掺杂时的掩蔽层.可以作为注入离子的阻挡层。③二氧化硅膜对器件表面有保护和钝化作用④二氧化硅膜用做制作电容器的介质材料。⑤二氧化硅膜用

4、于集成电路中的隔离介质和电绝缘介质2二氧化硅层的热生长机理①干氧氧化法。干氧氧化的氧化层生长机理是：处在高温状态的氧分子与硅片表面的硅原子接触产生化学反应在硅表面形成二氧化硅层②硅的水汽氧化。硅的水汽氧化生长氧化层的机理是：高温下，水蒸气与硅材料表面接触时，水分子与硅材料表面的硅原子发生反应生成二氧化硅层，③湿氧氧化④在实际的生产中，广泛采用的氧化方式是：干氧—湿氧—干氧的交替氧化生长二氧化硅的方式3二氧化硅膜的制备方法图此外还有氢氧合成氧化及高压氧化等制备二氧化硅膜的方法。第五节化学汽相淀积(CVD)方法化学汽相淀积指的是通过气态物质的化学反应在衬底上淀

5、积一层薄膜材料的过程。化学汽相淀积技术特点是：淀积温度低，淀积薄膜的成分和厚度容易控制，均匀性和重复性好，适用范围宽，设备简单等诸多优点。1化学汽相淀积二氧化硅膜①低温②高温2多晶硅膜的制备3氮化硅膜的制备常用的方法是化学汽相淀积法。多用等离子体化学汽相淀积（PECVD）方法。第六节掺杂技术掺杂是指将需要的杂质掺入到半导体特定的区域中的技术。目的是：改变半导体的电学性质，制造PN结二极管、NPN和PNP晶体管、电阻器等。在集成电路生产中扩散和离子注入掺杂是常用的两种掺杂技术。1扩散原理(1)扩散的本质与扩散方法在集成电路工艺中的扩散指的是在一定

6、温度下，Ⅲ族元素硼（B）或V族元素磷（P）、砷（AS）等原子能够克服阻力进入半导体（硅）中并缓慢地移动。进入半导体中的杂质原子有替位式扩散和间隙式扩散两种方式。(2)两种表面源的扩散方程的解图1图2(3)扩散工艺的主要参数①薄层电阻。图3图4②PN结结深Xj磨角法Xj=dsinθ图滚槽法Xj=ab/2R图(4)杂质的横向扩散在大规模集成电路制造工艺中应减小或避免杂质的横向扩散图2扩散工艺固态源扩散装置图工艺过程为：先是固态氮化硼源的活化,活化后的氮化硼源与硅片间隔等距离立放在反应室内，加热到960℃扩散,将预淀积后的硅晶片在稀氢氟酸中漂去掺入硼的二氧化硅

7、（硼硅玻璃）层后，继续进行再分布扩散.3离子注入掺杂技术离子注入装置图①离子源②磁分析器③加速器。④聚焦和扫描器。⑤靶室和偏束板。⑥真空排气系统和电气控制器。(2)离子注入的原理图(3)离子注入的杂质分布(4)离子注入掺杂技术的特点①被注入的杂质离子是经过质量分析器挑选出来的，被选中的离子纯度高、能量单一，从而保证了掺杂纯度不受杂质源纯度的影响。②离子注入可以在较低温度(400℃)下进行，所以能够避免热扩散所引入的晶体缺陷。③离子注入掺杂的均匀性好，可以在较大面积上形成既薄又均匀的掺杂层，而且横向扩散比热扩散小得多。④离子注入技术对于注入离子的能量

8、和剂量可以分别独立地控制，因而可以精确