单晶硅电池加工工艺.ppt

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1、电池工艺流程1化学清洗⑴原片分拣⑵去损伤层⑶制作绒面⑷盐酸清洗2扩散刻蚀⑴扩散制结⑵刻蚀去边⑶去PSG层3制减反膜PECVD设备4印刷电极5烧结6分选⑴印刷正极⑵印刷背场⑶印刷负极把正负极和硅片烧在一起以便导电APCVD设备或手工喷涂⑷印刷视频清洗工艺1原片分拣（1）根据电阻率把电池分类。硅片常见电阻率分类0.5-6Ω·㎝，0.5-3Ω·㎝，3-6Ω·㎝。（2）把藏片，厚片，薄片，缺损片，厚度不均匀片取出2去损伤层：Si+2NaOH（30%）+H2O→Na2SiO3+2H2↑，原叫减薄（原来硅片太厚，>300μm,目前180±20μm）。思考：为什

2、么硅片厚度会由300降低到180？3制绒Si+2NaOH(0.8%-1.3%)+H2O→Na2SiO3+2H2↑，溶液中加有酒精或异丙醇，增加各向异性引子，加速形成金字塔。85℃左右，时间10-50分钟4盐酸洗（V浓盐酸：V水=1:6）或盐酸（37%）双氧水（30%）混合洗（II号清洗液）（V浓盐酸：V双氧水：V水=1：1：6）85℃左右，清洗5-20分钟。盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Ag+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。5HF洗（VHF:V水=1：10），室温,5-10分钟。有些厂家不用。返回首页两张多晶

3、硅绒面显微照片扩散POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下如果氧气充足，PCl5能和氧继续反应生成Cl2和P2O5。为了避免产生PCl5，应通入适量氧气。等离子刻蚀硅扩散后硅片表面有磷硅玻璃产生。SiO2混合P和P2O5。用HF清洗掉表面的磷硅玻璃。HF和水体积比1:10偏磷酸P2O5+H2O-------2HPO3H3PO4-------HPO3+H2O返回首页钛酸丁酯（Ti(OC2H5)4）无色至浅黄色液体。在-55℃时为玻璃状固体，置空气中易固化成透明细片。遇水分解。形成TiO2膜层的

4、主要物质。颜色厚度（埃）颜色厚度（埃）颜色厚度（埃）硅本色0-200很淡蓝色1000-1100蓝色2100-2300褐色200-400硅本色1100-1200蓝绿色2300-2500黄褐色400-500淡黄色1200-1300浅绿色2500-2800红色550-730黄色1300-1500橙黄色2800-3000深蓝色730-770橙黄色1500-1800红色3000-3300蓝色770-990红色1800-1900淡蓝色930-1000深红色1900-2100氮化硅膜的颜色与厚度的对比表返回首页返回首页红外加热灯管卤钨灯纵向温度分布曲线横向温度的

5、稳定性连续和非连续放片返回首页温区1温区2温区3温区4温区5温区6温区7150℃200℃300℃400℃560℃640℃875℃一个烧结炉的温区温度分选测试光源：氙灯。模拟太阳光。AM1.51000W/m2分档方法：1按转换效率(功率)分档2按最大功率点电流分档后者更好些。测试参数：Voc开路电压Isc短路电流FF填充因子Pm最大功率Ipm最大功率处电流Vpm最大功率处电压Rs串联电阻Rsh并联电阻返回首页电池生产线辅助仪器设备一览表仪器名称用途产地或销售商型号价格（万元RMB）备注少子寿命仪测试少子寿命匈牙利Semilabwt－2000121.6

6、wt－1000b34.2wt－100024.7美国SintonConsultingWct-12018.2$23350+$600(运费)（此为到岸价）硅片分拣仪按某参数给硅片分类上海星纳电子科技MS20322椭偏仪测试减反膜厚度折射率台湾致东光电D824还有其他型号德国SentechSe40040积分式反射仪测试表面反射率台湾致东光电20.8金相显微镜观察硅表面金字塔南京江南永新公司待定1待定好的显微镜烧结温度测试监测烧结炉温度英国datapaqDatapaq90007.6Corescan测试烧结后欧姆接触北京华通特瑞光电科技55.212350，71

7、4欧元尘埃离子计数器测试车间尘埃粒子苏州三兴净化公司clj－10.9高精度电子秤测试浆料用量德国赛多利斯或其他公司待定0.25一般电子秤测试化学药品重量待定0.1方块电阻测试仪测试扩散方块电阻苏州电讯仪器厂Sx19341.43×3电导率仪监测纯水电导率上海雷磁仪器厂待定0.25万用表测试刻蚀后边缘电阻随意待定0.015以上辅助设备最高价合计247.905万，最低价合计135.605万2.3去磷硅玻璃3制减反膜4.1背电极印刷4.2背场印刷4.3正面电极印刷5烧结清洗前检测(据厚度、电阻率等分拣，分拣仪器)刻蚀结果检测(万用表)减反膜检测(椭偏仪)2

8、.2刻蚀机×3清洗结果检测(反射仪,显微镜)水质监测(电导率仪)化学品称量(一般电子秤)1清洗机一套2.1扩散炉×2扩散结