模拟电路复习题原.doc

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1、一、单选题(每题1分，共30分)1.　半导体的导电阻率为　　　。A　ρ<10-6Ω·mB　ρ>108Ω·mC　ρ介于10-6～108Ω·mD　ρ>1010Ω·m2.　本征激发是指　　　现象。A　价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的∨B　价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C　价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的3.空穴的导电机理是　　　　。A　电子的接力运动B　空穴在电场作用下的定向运动C　空穴的接力运动D　杂质粒子在电场作用下的定向运动4.　

2、P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的　　　而获得的杂质半导体。A　二价元素B　三价元素C　四价元素D　五价元素5.　模拟信号是指　　　　的信号。A　时间连续B　数值连续，C　时间和数值都连续D　时间和数值都不连续6.　放大电路放大倍数是指　　　　。A　输出信号与输入信号的比值B　输入信号与输出信号的比值C　输出电压与输入电流的比值D　输出电流与输入电压的比值7.　某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为　　倍。A　10B　102C　103D　1048.　放大电路中的非线性失真是有

3、引起的。A　电抗元件B　放大元器件的非线性C　非电抗元件D　输入信号的失真9.　PN结雪崩击穿主要主要发生在　情况下。A　PN结反偏较低B　PN结正偏电压较高C　PN结反偏较高D　PN结正偏电压较低10.　PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。A　PN结反偏较低B　PN结正偏电压较高C　PN结反偏较高D　PN结正偏电压较低11.　锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为　　。A　0.7VB　0.5VC　0.1VD　0.2V12.　晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为　　　　。A.　发射结正偏，集电结反偏

4、B.　发射结反偏，集电结正偏C.　发射结正偏，集电结正偏D.　发射结反偏，集电结反偏13.　PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为　　　。A　　5V以下B　　8~1000VC　　5~8VD　　10~500V14.　硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为　　。A　　0.7VB　　0.5VC　　0.1VD　　0.2V15.　对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为　　。A.　　200ΩB.　　100ΩC.　　150ΩD.　　300Ω16.　当温度升高1oC时，晶体管的参数UBE将增大　　　

5、。A.　－(2~2.5)mVB.　　(2~2.5)mVC.　　(1~1.5)mVD.　－(1~1.5)mV17.　当温度升高1oC时，晶体管的参数β将增大　　　。A.　0.5%B.　0.5%~1.0%C.　0.5%~2.0%D.　1.0%~2.0%18.　三极管的电流分配关系为　　　。A.　IE＝IC+IBB.　IE＝IC－IBC.　IC＝IB－IED.　IB＝IC－IE19.　晶体三极管放大作用的实质是　。A.　把微弱的电信号加以放大B.　以弱电流控制强电流C.　以强电流控制弱电流D.　以弱电流控制强电流，把

6、直流电能转换为交流电能。20.　多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数　　。A.　的乘积B.　的和C.　的差D.　相除的商21.　多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而　　。A.　变宽B.　变窄C.　变大D.　变小22.　fH(fL)称为放大电路的　　。A.　截止频率B.　上限频率C.　下限频率D.　特征频率23.　fβ(fT)称为共发射极　　　。A.　截止频率B.　上限频率C.　下限频率D.　特征频率24.BJT(FET)又称为　　　。A.单极型晶体管B.双极型晶体管C.电子型晶体管D.空穴型晶体管

7、25.　互补对称功率放大电路工作在乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率为　　。A.　30%B.　78.5%C.　60%D.　85%26.　互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为　　。A.　30%B.　78.5%C.　60%D.　85%27.　甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生　　　。A.交越失真B.线性失真C.频率失真D.相位失真28.　甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角为　　。A.　θ=2πB.　θ=πC.　π<θ<2πD.　θ<π29.

8、　乙类双电源互补对称功率放大电路实际上是　　　　。A.　由两个不同类型晶体管构成的共发射极放大电路组成B.　由两个不同类型晶体管构成的共基极放大电路组成C.　由两个不同类型晶体管构成的射极输出器组成D.　由两个相同类型晶体管构成的射极输出器组成30.　大规模集成电路在一个硅片上可集中制作　　　。A.　十～几十个元件B.　几十个～几百个元件C.　几百个～几千个元件D.　几千个以上元件31