导电高分子材料课件.ppt

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1、导电高分子材料2000年诺贝尔化学奖得主美国物理学家Heeger美国化学家MacDiarmid日本化学家Shirakawa世界上第一种导电聚合物：掺杂聚乙炔1977年，美国化学家MacDiarmid，物理学家Heeger和日本化学家Shirakawa首次发现掺杂碘的聚乙炔具有金属的特性。并因此获得2000年诺贝尔化学奖使用Ziggler—Natta催化剂AlEt3/Ti(OBu)4,Ti的浓度为3mmol/L，Al/Ti约为3—4。催化剂溶于甲苯中，冷却到-78度,通入乙炔，可在溶液表面生成顺式的聚乙炔薄膜。掺杂后电导率达到105S/cm量级导电聚合物是由具有共轭∏键的聚合物经过化学或电化

2、学的掺杂而形成的导电聚合物除了具有高分子聚合物的一般的结构特点外还含有一价的对阴离子（P型掺杂）或对阳离子（N型掺杂）导电聚合物最引人注目的一个特点是其电导率可以在绝缘体—半导体—金属态（10-9到105s/cm）较宽的范围里变化。这是目前其他材料所无法比拟的导电高分子的主要类型：除了最早的聚乙炔（PA）外，主要有聚吡咯(PPY)、聚噻吩(PTH)、聚对苯乙烯(PPV)、聚苯胺(PANI)以及他们的衍生物其中聚苯胺结构多样、掺杂机制独特、稳定性高技术应用前景广泛，在目前的研究中备受重视其中聚乙炔的所能达到的电导率在已发现的导电聚合物中是最高的，达到了105S/cm量级，接近Pt和Fe的室温

3、电导率什么是导电高分子的掺杂呢？纯净的导电聚合物本身并不导电，必须经过掺杂才具备导电性掺杂是将部分电子从聚合物分子链中迁移出来从而使得电导率由绝缘体级别跃迁至导体级别的一种处理过程导电聚合物的掺杂与无机半导体的掺杂完全不同导电高分子的掺杂与无机半导体的掺杂的对比无机半导体中的掺杂导电高分子中的掺杂本质是原子的替代是一种氧化还原过程掺杂量极低（万分之几）掺杂量一般在百分之几到百分之几十之间掺杂剂在半导体中参与导电只起到对离子的作用，不参与导电没有脱掺杂过程掺杂过程是完全可逆的目前掺杂的方式主要有两种：氧化还原掺杂：可通过化学或电化学手段来实现。化学掺杂会受到磁场的影响遗憾的是目前为止还没有发

4、现外加磁场对聚合物的室温电导率有明显的影响质子酸掺杂：一般通过化学反应来完成，近年发现也可通过光诱导施放质子的方法来完成还有掺杂—脱掺杂—再掺杂的反复处理方法，这种掺杂方法可以得到比一般方法更高的电导率和聚合物稳定性聚合物的掺杂过程直接影响导电聚合物导电能力，掺杂方法和条件的不同直接影响到导电聚合物的物理化学性能导电高分子的导电机理载流子是由孤立子、极化子、双极化子等自由基离子构成的极化子和孤立子的存在和跃迁使高分子链具有了导电性最新研究进展和发展趋势高导电性导电聚合物高强度导电高分子可溶性导电高分子分子导电自掺杂或不掺杂导电聚合物、复合型聚合物、光电磁多功能聚合物等高导电性导电聚合物目前

5、为止发现的导电高分子仍属于半导体的范畴，而未能到到真正的金属态具有低能带能隙的导电高分子是实现“合成金属”的重要途径在1984年Wudl等合成了聚苯并噻吩，其能带能隙只有1eV杂环芳香族高分子的电导率往往高于非杂环芳香族的高分子。聚合物链的取向程度的提高也会大大的提高其取向方向的电导率1987年，Basescu等合成了高取向度的聚乙炔，用碘掺杂后其电导率高达2*105S/cm，是目前所知道的电导率最高的导电聚合物之一高强度导电高分子通常化学合成的高分子常表现为没有任何力学强度的粉末。例外：通过Shirakawa途径可以得到高性能的聚乙炔薄膜得到高性能导电高分子膜材料最有效和直接的方法是电化

6、学沉积法低的聚合温度、强极性分子介质以及电化学惰性的电极材料有利于生成堆积紧密，性能良好的芳香导电高分子材料清华大学的石高全等用纯的二氟化硼乙醇溶液做电解质，不锈钢片做电极在一定的电压下获得了力学强度超过铝的聚噻吩膜和高强度聚苯膜，在这一体系中还能获得厚度为400到500um的高强度导电聚合物板，它的抗张强度大大超过了一般的通用塑料可溶性导电高分子它可以更好地用于研究分子结构与导电性能之间的关系可以很好地解决导电聚合物的加工成型问题可溶性导电高分子可以由相应的溶液直接加工成膜或者纺成纤维研制可溶性高分子的一个重要技术是在导电高分子链中加入柔软的长链，这一技术可以应用于几乎所有的高分子单体分

7、子导电高分子的导电是在一个分子链上实现的适当地控制分子链的结构，或者改变它的局部环境，一个分子的各个区域可能具有不同的导电行为有可能制成“分子导线”、“分子电路”和“分子器件”导电高分子材料的应用导电聚合物特殊的结构以及优异的物理化学性能，使得其在能源（二次电池、太阳能电池、固体电池），光电器件，晶体管，镇流器，发光二极管（LED），传感器（气体和生物）,电磁屏蔽，隐身技术以及生命科学等方面都有诱人的应用前景结构性导电高