微机组装与维护课件.ppt

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1、柳州职业技术学院计算机课程2004年微机组装与维护第2章计算机硬件组成内存编主讲教师:谭耀坚2.3内存2.3.1内存分类一:ROMA:EPROM2.3内存2.3.1内存分类一:ROMB:FLASHMEMORY2.3内存2.3.1内存分类二:RAMA:SRAM用触发器工作,体积庞大,不易集成。但速度快。2.3内存2.3.1内存分类二:RAMB:DRAM用电容工作,体积小,易集成。但要刷新。1.SDRAMSDRAM-SD(SynchronousDynamic)RAM也称为“同步动态内存”,是168线,带宽64bit,工作电压为3.3V。它的工作原理是将RAM与CPU以相同的时钟频率进行控制

2、,使RAM和CPU的外频同步,彻底取消等待时间,所以它的数据传输速度比早期的EDORAM快了13%以上。同时由于采用64bit的数据宽,所以只需一根内存条就可以安装使用。2.3内存2.3.1内存分类二:RAMB:DRAM用电容工作,体积小,易集成。但要刷新。a.SDRAM2.3内存2.3.1内存分类二:RAMB:DRAM用电容工作,体积小,易集成。但要刷新。b.DDRSDRAM-DDR(DoubleDataRateDRAM),它是在SDRAM的基础上,利用时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,因此不需提高工作频率就能成倍提高DRAM的速度,而且制造成本并不高。DDR发展很快,从刚开始时的D

3、DR200、DDR266,已经发展到了现在的DDR333、DDR400。2.3内存2.3.1内存分类二:RAMB:DRAM用电容工作,体积小,易集成。但要刷新。b.DDR2.3内存2.3.1内存分类*关于内存表示:早期JEDEC规定的DDR标准并不是以“DDRXXX”来标识,而都是以内存的带宽来标识的,如DDR266应为PC2100、DDR333应为PC2700。只是大家都已经习惯了速度来标识内存,所以“DDRXXX”也就成为了一种默认的标准。换算:位宽X频率X倍频/8(结果为MB/S,即M字节每秒。)若不除8,则结果为Mb/s,即M比特每秒。2.3内存2.3.1内存分类二:RAMB:

4、DRAM用电容工作,体积小,易集成。但要刷新。c.rambusRambus(DirectRambusDRAM),也叫RDRAM,Rambus是Intel所推崇的未来内存的发展方向,它将RISC(精简指令集)引入其中,依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率(300MHz以上),但其数据通道接口带宽较低,只有16bit。当工作时钟为400MHz时,Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据,因此它的数据传输率能达到400X16X2/8=1.6GB/秒。2.3内存2.3.1内存分类二:RAMB:DRAM用电容工作,体积小,易集成。但要刷新。c.ramb

5、us由于工作频高,发热量大,故规定用金属片散热.2.3内存2.3.2内存性能指标一:Tck,时钟周期它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。如,对于一片普通的PC100SDRAM来说,它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10ns,即可以在100MHZ的外频下正常工作。目前一般可有133/166/200MHz,写成周期则为7ns,6ns,5ns。2.3内存2.3.2内存性能指标一:Tck,时钟周期2.3内存2.3.2内存性能指标二:Tac,存取时间(时钟触发后的访问时间)由于芯片体积的原因,存储单元中的电容容量很小,所以信号要经过

6、放大来保证其有效的识别性,要有一个准备时间才能保证信号的发送强度.故尽管此时数据已经被触发,但要经过一定的驱动时间才最终传向数据I/O总线进行输出,这段时间我们称之为tAC(AccessTimefromCLK,时钟触发后的访问时间)。tAC的单位是ns,对于不同的频率各有不同的明确规定,但必须要小于一个时钟周期,否则会因访问时过长而使效率降低。2.3内存2.3.2内存性能指标二:Tac,存取时间目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。如LG的PC100SDRAM芯片上的标识为7J或7K,将说明它的存取时间为7ns,但它的系统时钟频率依然是10ns,外频为100MH

7、z。它们的数值肯定要比其时钟周期小。2.3内存2.3.2内存性能指标三:Cl,CAS的延迟时间要读数据,先发出行地址(RAS),等若干周期后发出列地址(CAS),(它们共用数据线)此时间间隔为Trcp。两个地址到达后方可进行读/写(发指令).2.3内存2.3.2内存性能指标三:CL,CAS的延迟时间读取数据的周期(CLK)已开始,但存储体中晶体管的反应时间仍会造成数据不可能与CAS在同一上升沿(T0)触发,肯定要延后至少一个时钟周期(T2),才

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