微机原理存储器课件.ppt

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1、第5章存储器随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）半导体存储器(内存储器、一般采用MOS管）5.1随机存储器5.1.1静态随机存储器（SRAM）一、六管静态基本存储单元电路X0X1X2X3Y0Y1Y2Y3二、SRAM的内部组织Y0Y1Y2Y3A0A1A0A1X0X1X2X3Y0Y1Y2Y3A0A1A2A3Y0Y1Y2Y3DiCSWE二、SRAM的内部组织三、SRAM的典型例子6116逻辑符号2114逻辑符号按位扩充四、SRAM的外部组织按位扩充字节扩充5.1.2动态随机存储器（DRAM）一、单管静态基本存

2、储单元电路2164逻辑符号二、ＤRAM的典型例子5.2只读存储器（ROM）5.2.1只读存储器的结构、特点和分类一掩摸ROM二可编程ROM（PROM）三紫外线可编程ROM（EPROM）四电可擦除PROM（EEPROM）5.2.2只读存储器典型产品举例5.3存储器地址译码方式及译码电路的设计5.3.1全地址译码方式（全译码选择方式）线选法５.3.2部分地址译码方式和线选择方式部分译码5.3.3存储器地址译码电路的设计一、专用译码电路的地址译码器例：8片6264（8K×8，SRAM）构成一个64K的存储器，分配在

3、E0000H～EFFFFH的内存空间。E0000H～E1FFFHE2000H～E3FFFHE4000H～E5FFFHE6000H～E7FFFHE8000H～E9FFFHEA000H～EBFFFHEC000H～EDFFFHEE000H～EFFFFH例：16位地址系统中，4片2716（2K×8，ROM）构成一个8K的只读存储器，分配在0000H～1FFFH的内存空间；8片2114（1K×4，SRAM）构成一个4K的随机存储器，分配在8000H～8FFFH的内存空间。二、ROM译码器例63S241（512×4位）P

4、ROM芯片（9条地址线）为译码器，4片6264（8K×8），构成32K地址空间E0000H～E7FFFH的存储器系统。63S241的070H～073H为：（070H）=1110B（071H）=1101B（072H）=1011B（073H）=0111B5.4存储器与8086CPU的连接存储器的图片例题1：下图为8086存储器的部分电路接线图。问（1）M1的寻址范围＝？（2）M0的寻址范围＝？（3)存储器总容量＝？地址：98000H~9FFFFH存储容量32K