电容式触摸屏设计入门说课讲解.ppt

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时间:2020-08-04

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1、電容式觸摸屏入門(OnlyforTEKOMinternal)一、常見觸摸屏的種類1。電阻式觸摸屏2。電容式3。紅外線4。超聲波1、電阻式觸摸屏:工作原理兩層之間距離僅為2.5微米優缺點:電阻式觸摸屏的ITO塗層比較薄且容易脆斷,塗得太厚又會降低透光且形成內反射降低清晰度,ITO外雖多加了一層薄塑膠保護層,但依然容易被銳利物件所破壞;且由於經常被觸動,表層ITO使用一定時間後會出現細小裂紋,甚至變型,如其中一點的外層ITO受破壞而斷裂,便失去作為導電體的作用,觸摸屏的壽命並不長久,而且需要經常做校正。但電阻式觸摸屏不受塵埃、水、汙物影響。現狀:目前市場上大部分

2、手機PDA等都是使用電阻式觸摸屏,需要配備手寫筆或者使用指尖等硬物稍用力壓才能實現功能。1、電阻式觸摸屏:優缺點2、電容式觸摸屏:簡介(1)表面電容式(SurfaceCapacitiveTechnology):表面電容觸摸屏只採用單層的ITO,在觸摸屏四邊均鍍上狹長的電極,在導電體內形成一個低電壓交流電場。當手指觸摸屏表面時,手指與導體層間會形成一個耦合電容,就會有一定量的電荷轉移到人體。為了恢復這些電荷損失,電荷從螢幕的四角補充進來,各方向補充的電荷量和觸摸點的距離成比例,我們可以由此推算出觸摸點的位置。2.電容式觸摸屏:結構(2)投射電容式(Projec

3、tedCapacitiveTechnology):投射電容觸摸屏與表面電容觸摸屏相比,可以穿透較厚的覆蓋層,而且不需要校正。感應電容式在兩層ITO塗層上蝕刻出不同的ITO模組,需要考慮模組的總阻抗,模組之間的連接線的阻抗,兩層ITO模組交叉處產生的寄生電容等因素。電阻觸摸屏的成本較低,競爭就很激烈,而且在性能和應用場合上有一定局限。電容式的優點如下:1.電容觸摸屏只需要觸摸,而不需要壓力來產生信號。2.電容觸摸屏在生產後只需要一次或者完全不需要校正,而電阻技術需要常規的校正。3.電容方案的壽命會長些,因為電容觸摸屏中的部件不需任何移動。電阻觸摸屏中,上層的I

4、TO薄膜需要足夠薄才能有彈性,以便向下彎曲接觸到下麵的ITO薄膜。4.電容技術在光損失和系統功耗上優於電阻技術。5.選擇電容技術還是電阻技術主要取決於觸碰螢幕的物體。如果是手指觸碰,電容觸摸屏是比較好的選擇。如果需要觸筆,不管是塑膠還是金屬的,電阻觸摸屏可以勝任。電容觸摸屏也可以使用觸筆,但是需要特製的觸筆來配合。6.表面電容式可以用於大尺寸觸摸屏,並且相成本也較低,但目前無法支持手勢識別;感應電容式主要用於中小尺寸觸摸屏,並且可以支持手勢識別。7.電容式技術耐磨損、壽命長,用戶使用時維護成本低,因此生產廠家的整體運營費用可被進一步降低。2、電容式觸摸屏:優

5、缺點紅外線觸摸屏原理很簡單,只是在顯示器上加上光點距架框,無需在螢幕表面加上塗層或接駁控制器。光點距架框的四邊排列了紅外線發射管及接收管,在螢幕表面形成一個紅外線網。用戶以手指觸摸屏幕某一點,便會擋住經過該位置的橫豎兩條紅外線,電腦便可即時算出觸摸點位置。因為紅外觸摸屏不受電流、電壓和靜電干擾,所以適宜某些惡劣的環境條件。其主要優點是價格低廉、安裝方便、不需要卡或其他任何控制器,可以用在各檔次的電腦上。不過,由於只是在普通螢幕增加了框架,在使用過程中架框四周的紅外線發射管及接收管很容易損壞。3.紅外線觸摸屏表面聲波是一種沿介質表面傳播的機械波。該種觸摸屏由觸

6、摸屏、聲波發生器、反射器和聲波接受器組成,其中聲波發生器能發送一種高頻聲波跨越螢幕表面,當手指觸及螢幕時,觸點上的聲波即被阻止,由此確定座標位置。表面聲波觸摸屏不受溫度、濕度等環境因素影響,解析度極高,有極好的防刮性,壽命長(5000萬次無故障);透光率高(92%),能保持清晰透亮的圖像品質;沒有漂移,只需安裝時一次校正;有第三軸(即壓力軸)回應,最適合公共場所使用。4.表面聲波觸摸屏二、ITO1、什麼是ITO2、TouchScreenImplementationmethods3、ITO附著介質:ITOGlass,ITOFilmITO是銦錫氧化物(=Indi

7、umTinOxide)的英文縮寫,它是一種透明的導電體。通過調整銦和錫的比例,沉積方法,氧化程度以及晶粒的大小可以調整這種物質的性能。被用做電阻式和電容式觸摸屏的感應材料薄的ITO材料透明性好,但是阻抗高;厚的ITO材料阻抗低,但是透明性會變差。在PET聚脂薄膜(電阻式觸摸屏會用到)上沉積時,反應溫度要下降到150度以下,這會導致ITO氧化不完全,之後的應用中ITO會暴露在空氣或空氣隔層裏,它單位面積阻抗因為自氧化而隨時間變化。這使得電阻式觸摸屏需要經常校正。1.什麼是ITO?TouchScreensuseITOforcapacitive&resistive

8、sensingITO=IndiumTinOxideT

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