多晶硅生产主要工艺技术指标

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1、多晶硅生产主要工艺技术指标一、氢化炉（4台）是将SiCl4转化成SiHCl3的装置，外设水夹套，反应温度550℃，压力16kg/cm3.二、SiHCl3提纯（共10台）1#氢化粗分塔，分离SiHCl3和SiCl4塔釜温度：99.3℃，塔顶温度：95℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）2#氢化粗留塔，去除其轻组分，产品为粗SiHCl3塔釜温度：75.5℃，塔顶温度：72℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）3#氢化粗留塔，去除其重组分（去9#塔），产品为SiHCl3塔釜温度：106℃，塔顶温度：103℃，压力：6kg/cm2（绝对压力）4#氢化精留塔，去除其轻组分（去10

2、#塔），产品为SiHCl3塔釜温度：65℃，塔顶温度：63℃，压力：2.8kg/cm2（绝对压力）5#氢化粗留塔，去除其重组分（去9#塔），产品为SiHCl3塔釜温度：83℃，塔顶温度：80℃，压力：4.5kg/cm2（绝对压力）6#氢化精留塔，去除其轻组分（去4#塔），产品为高纯SiHCl3，去还原。塔釜温度：108℃，塔顶温度：103℃，压力：8kg/cm2（绝对压力）7#干法回收料轻杂组分分离塔，去除轻组分（去10#塔），产品为SiHCl3和SiCl4.塔釜温度：75.4℃，塔顶温度：71℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）8#干法料精馏塔，塔顶出高纯SiHCl

3、3产品去还原；塔釜出SiCl4产品去氢化。塔釜温度：125.5℃，塔顶温度：121℃，压力：6kg/cm2（绝对压力）9#四氯化硅分离塔，塔顶出轻组分，大部分为SiHCl3去4#塔或者出售；塔釜出重组分，主要为SiCl4（少量的SiHCl3）去氢化。塔釜温度：94.7℃，塔顶温度：91℃，压力：3kg/cm2（绝对压力）10#氯氢硅分离塔，去除轻杂，重杂，去淋洗，产品为SiH2Cl2塔釜温度：73.5℃，塔顶温度：71℃，压力：5kg/cm2（绝对压力）三、还原炉（16台）是用SiHCl3和H2按一定的摩尔比进入装有硅芯发热体的炉内，在1100℃，6kg/cm2的条件

4、下，SiHCl3中的Si被H2还原，生长在硅芯上，由于不断的沉积，硅棒不断地长粗，达到需要的尺寸时停炉。炉壁有夹套，通入132℃的热水，出水温度152℃，对炉壁进行冷却，还原尾气进入回收系统。四、干法回收系统还原尾气经水冷却和深度冷却后，99%以上的氯硅烷（SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2）被回收，未凝气体主要是H2和HCl及其少量的氯硅烷，经压缩机（4台）压缩后达到13kg/cm2压力，从吸收塔下部进入经过吸收塔内的HCl被从上部喷淋的过冷的氯硅烷（-40℃）吸收，而进入解吸塔，HCl从塔顶析出来，从而使HCl和氯硅烷分离。在吸收塔内未被吸收的H2进入活性炭

5、吸附塔，使H2中残留的微量HCl和氯硅烷吸附，得到高纯的H2.五、氢气罐的容积是100m3，压力是1.6MPa。六、氯化氢储存罐的容积是40m3，压力是0.3MPa二台。七、氯硅烷中间储罐二台，容积各是50m3；氯硅烷是指SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2的混合物。八、各炉的最高操作温度和压力1100℃，0.3MPa。九、各塔的最高操作温度和压力125.5℃，0.8MPa（绝压）。