光致界面电荷转移课件.pptx

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1、工作汇报专业：环境工程姓名:孙明明日期：2014/11/29金属功函数Wm：把金属中电子从费米能级EFm逸出到真空E0中所需的最小能量称为金属的功函数半导体功函数Ws：把E0与费米能级EFS之差称为半导体的功函数接触电势差：在交界面,电子会从功函数小的材料转移到功函数大的材料中，从而前者带上正电荷，后者带上负电荷，这样就产生了接触电势差。光致界面电荷转移的机理费米能级：在固体物理学中，一个由无相互作用的费米子组成的系统的费米能,表示在该系统中加入一个粒子引起的基态能量的最小可能增量。费米能:亦可等价定义为在绝对零度时，处于基态的费米子系

2、统的化学势，或上述系统中处于基态的单个费米子的最高能量。费米能是凝聚态物理学的核心概念之一。本征激发：当半导体从外界获得一定的能量，受到激发，电子从价带顶端跃迁到导带底端，而产生出自由电子和自由空穴的现象。本征激发的容易程度受到禁带宽度的影响。表面电势:它是指由于两相界面区偶极层的存在或自由电荷(离子或电子)的不均匀分布而造成的两相之间的电势差。若规定某一相的内部的电势为零，则此差值即为另一相的表面电势，其数值等于把单位正电荷从表面外约10-4cm处通过界面移进相内所耗费的电势。由于这一过程不可避免地会涉及化学作用。所以表面电势虽有明确

3、的物理意义，实际上却无法测量。本征半导体是一种完全没有杂质和缺陷的理想半导体材料。对于掺杂施主的半导体，导带电子是多数载流子，价带空穴是少数载流子，称为n型半导体。对于掺杂受主的半导体，价带空穴是多数载流子，导带电子为少数载流子，称为P型半导体。透明导电玻璃透明导电玻璃光致界面电荷转移的机理文献Astudyoflight-inducedchargetransferatinterfaceofcoppertetrasulphonatophalocyninemolecularfilmsandp-Si(III)ThinSolidFilms在磺化

4、酞菁铜超分子膜和p-Si(III)的界面间光诱导电荷转移的研究CuTsPcsupramolecularfilmsandCuTsPcLBfilmswithspaceinthelipidchainwerepreparedonp-Si(III)usingtheLBtechnique.Thesurfacephotovoltagespectraofbothfilmsystemsweremeasuredforthefirsttime.Itwasfoundthatthesurfacephotovoltaiceffectofthefilmsystems

5、wasatamaximumwhenonlyonemonolayerofCuTsPcmoleculeswasmodifiedonp-Si(III).OurexperimentsindicatedthatonlythefirstCuTsPcmonolayeradjacenttothesemiconductorplaysakeyroleinthelight-inducedinterfacialchargetransfer.Abstract1.Introductionmuchresearchhasbeendevotedtothesensitiz

6、ationofsemiconductormaterialsbyorganicdyefilmsandtheirapplicationinavarietyofsolidstatedevices.ItisworthnotingthatHondaandcoworkersusedLBfilmcontainingchlorophyltomodifySnO2photoanodeswhichhadexhibitedahighquantumefficiency(25%)forphotocurrentgeneration.Thisresultsuggest

7、sthatthespecificpropertiesofLBfilmspromisesomenoveleffectsinthesensitizationofsemiconductormaterials.Recently,ourgroupsuccessfullypreparedanewkindofultrathinCuTsPcmolecularfilmwhichhassomecharacteristicsofaone-dimensionalconductor.thesupramolecularfilmsandCuTsPcLBfilmswi

8、thspaceinthelipidchainwerepreparedonp-Si(III),andthedependenceoftheirphotovoltaicresponseonthefilmthick