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1、资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。第一章整流滤波电路用于的场合。一、填空题13、设整流电路输入交流电压有效值为U2,则单相半波整流滤波电路的输出直流1、把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成。电压U=,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U=,L(AV)L(AV)2、半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压,外加反偏电单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U=。L(AV)压。14、除了用于作普通整流的二极管以外,请再列举出2种用于其它功能的二极3、利用二极管的,可将交流电变成。管:,。4、根据二极管的性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般
2、15、常见的整流电路有和。其正反向的电阻阻值相差越越好。16、为消除整流后直流电中的脉动成分,常将其经过滤波电路,常见的滤波电路5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是,死区电压是。有,,复合滤波电路。6、硅二极管的工作电压为,锗二极管的工作电压为。17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关,τ愈大,输出电压脉动7、整流二极管的正向电阻越,反向电阻越,表明二极管的单愈,输出直流电压也就愈。向导电性能越好。18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比,由于电容充放电过程8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。(a.延长,b.缩短),因此输出电压更为(a.平滑,b.多毛
3、刺),9、半导体二极管的主要参数有、,另外还输出的直流电压幅度也更(a.高,b.低)。有、、等参数,选用二极管的时候也应注意。二、选择题10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现1、具有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将。象称为现象。A、变好B、变差C、不变D、无法确11、发光二极管是把能转变为能,它工作于状态;光定电二极管是把能转变为能,它工作于状态。2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。12、整流是把转变为。滤波是将转变A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元为。电容滤波器适用于的场合,电感滤波器适素资料内容仅供您学习参考，
4、如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。3、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素4、PN结加正向电压时,空间电荷区将。A、变窄B、基本不变C、变宽D、无法确定5、二极管正向电阻比反向电阻。A、大B、小C、一样大D、无法确定6、二极管的导通条件。A、uD>0B、uD>死区电压C、uD>击穿电压D、以上都不对7、晶体二极管内阻是。A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻8、电路如图所示,输出电压U应为。OA、0.7VB、3.7VC、10VD、0.3V9、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管。A、击
5、穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏10、下面列出的几条曲线中,哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。ABCD11、二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA,温度每升高10oC,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30oC时,反向饱和电流值为。A、5μAB、10μAC、20μAD、30μA12、将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。A、Uo=UiB、Uo=0.45UiC、Uo=0.5UiD、Uo=2Ui13、三极管三个极的对地电位分别是-6V、-3V、-3.2V,则该管是。A、PNP硅管B、NPN锗管C、NPN硅管D、PNP锗管、型三极管,
6、三个电极的电位分别有VCVEVB则该14NPN=3.3V,=3V,=3.7V,管工作在。资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿19、二极管从反向到正向导通所需时间t1,从正向导通到反向截止所需要的时间区t2,则t1和t2的关系是15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨A、相等B、t1远大于t2到。C、t1远小于t2D、t1略小于t2A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、20、将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。R×100ΩA、110VB、0.45×22
7、0VC、2×220VD、220V16、当环境温度升高时,二极管的反向电流将。21、问以下哪种情况中,二极管会导通。A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少A、B、17、如图所示,设二极管为理想状态,则电压V为。ABC、D、22、用万用表测量小功率二极管极性时,应选用。A、直流电压挡量程5VB、直流电流挡量程100mAA、3VB、6VC、-3VD、-6VC、交流电压挡量程10VD、电阻挡量程R×10018、如图所示的电路中,理想二极管D1、D2的工作状态为。23、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异
