最新PowerMOSFETBasicandApplication解析幻灯片.ppt

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1、进入夏天，少不了一个热字当头，电扇空调陆续登场，每逢此时，总会想起那一把蒲扇。蒲扇，是记忆中的农村，夏季经常用的一件物品。　　记忆中的故乡，每逢进入夏天，集市上最常见的便是蒲扇、凉席，不论男女老少，个个手持一把，忽闪忽闪个不停，嘴里叨叨着“怎么这么热”，于是三五成群，聚在大树下，或站着，或随即坐在石头上，手持那把扇子，边唠嗑边乘凉。孩子们却在周围跑跑跳跳，热得满头大汗，不时听到“强子，别跑了，快来我给你扇扇”。孩子们才不听这一套，跑个没完，直到累气喘吁吁，这才一跑一踮地围过了，这时母亲总是，好似生气的样子，边扇边训，“你看热的，跑什么？”此时

2、这把蒲扇，是那么凉快，那么的温馨幸福，有母亲的味道！　　蒲扇是中国传统工艺品，在我国已有三千年多年的历史。取材于棕榈树，制作简单，方便携带，且蒲扇的表面光滑，因而，古人常会在上面作画。古有棕扇、葵扇、蒲扇、蕉扇诸名，实即今日的蒲扇，江浙称之为芭蕉扇。六七十年代，人们最常用的就是这种，似圆非圆，轻巧又便宜的蒲扇。　　蒲扇流传至今，我的记忆中，它跨越了半个世纪，也走过了我们的半个人生的轨迹，携带着特有的念想，一年年，一天天，流向长长的时间隧道，袅PowerMOSFETBasicandApplication解析PowerMOSFET内容功率MOSF

3、ET内部结构MOSFET工作原理MOSFET重要参数DrainSourceGateDrainGateSourceCircuitSymbolPackagePinLayoutMOSFET内部结构横向导电(信号MOSFET）/垂直导电（功率MOSFET）垂直导电：平面型和沟槽型Trench(U型沟槽和V型沟槽）功率MOSFET为多单元集成结构PowerMOSFET横向导电:平面型垂直导电:V型沟槽垂直导电:平面型垂直导电:U型沟槽PowerMOSFETAOS的MOSFETAOS开发出的性能可靠产量高的密集沟槽型MOSFETX射线显示的AOSMOSF

4、ET物理结构U型沟槽多个单元并联BondingPowerMOSFETMOSFET工作原理：功率MOSFET的基本特性静态特性；其转移特性和输出特性。漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导GfsMOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导

5、通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。转移特性输出特性DSGTracerwaveform结温升高，BV线性增加PowerMOSFETMOSFET的avalanche击穿电压总是大于标注的额定电压由于正常生产中的余量控制为了保证可靠性，在最坏的工作条件下，工作电压不要大于额定值。最大的电压不要超过额定值的70~90%，降额使用。MOSFET的静态参数PowerMOSFETTj必须总低于150ºC。大多可靠性测试在最大结温进行如HTRBHighTemperatureReversedBias和HTFBHighTemp

6、eratureForwardBias。这些测试结果用作计算不同可靠性模式的加速因子的输入信息。如由理论模式，减小结温30°C将提高MTBF一个数量级。代表最小的器件使用时间。在此条件下工作保证结温低于Tjmax可提高长时间工作的寿命。由Ptot和Rdson及线直径限制（避免fuse效应）MOSFET的静态参数PowerMOSFET热阻此参数表明热量从A点到B点流动的难易程度。小RTH表明热量从A点流动到B点时，产生很小的温度差异。大的RTH表明当同样的热量从A点流动到B点时，产生很大的温度差异。热阻定义为：从硅片到空气热链路：硅片-封装-散热

7、器-空气。硅片-封装热链路：硅片-框架-封装。封装-散热器加绝缘片,封装-散热器-空气热链路：封装-绝缘片-散热器-空气Rjc:针对有铜片e-Pad的封装,如Ultra-SO8,DFN5*6，热阻是从晶元到铜片RjL:针对fq无铜片e-Pad的封装,如SO8,SOT23，热阻是从晶元到管脚DSGRDS(on）有正温度系数RDS(on）对于Id并不恒定PowerMOSFETNormalizedMaximumTransientThermalImpedanceMaximumForwardBiasedSafeOperatingAreaV=Ron(@T

8、j)*IVI=(Tj-Tc)/ZthZth=kRthPowerMOSFETMOSFET的SOADSG阈值电压VGS(th）漏极开始流通电流的最小栅极电压VGS(th