单晶硅片工艺流程技术文件

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1、一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二)4.3将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。5.2禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。5.3操作中严

2、禁工作服与硅片和片盒接触。6.上料（见附图四）6.1硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。6.2将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。7化学腐蚀液的配制7.1准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3”比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。7.3化学腐蚀液的配制比例（见下表）　槽号1#槽2-4#槽7#9#槽功能去损伤层制绒去Na2SiO3去金属离子清洗液组成氢氧

3、化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸NaOHNaOHIPANa2SiO3·9H2OHFHCl标准浓度（克/升）40±518±55±23±153±584±5加入试剂9千克2千克12升6千克16升32升加入试剂（瓶)18431248液面高度（厘米）4232323230307.4配制溶液要求：387.4.1配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。7.4.2时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后

4、,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。7.4.3异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。8.各化学药品规格及要求8.1氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度≥98%。8.2异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。8.3硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。8.4盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。8.5氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升。9.工艺过程化学药

5、品的补加（见下表）9.1工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：槽号1#槽2～4#槽每清洗一篮硅片排液(cm)补加NaOH补加NaOH补加IPA1.5±0.525±10g25±10g4升（一瓶）备注清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。10.各槽化学液更换频率（见下表）工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）槽号1#槽2～4#槽7#槽9#槽更换周期24小时24小时12小时12小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时（1～4号槽）更换条件工艺不正常状态1连续停机8小时以上，要求全部

6、换液重配工艺不正常状态22～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态32～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态42～4#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。11.清洗腐蚀工艺参数的设置（见下表）11.1小片盒放置硅片11.1.1使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表）38槽位1#槽2-4#槽5#槽6#槽7#槽功能去损伤制绒漂洗喷淋去Na2SiO3时间270±30µm240±30µm230±30µm30min5min5min1min4min2min1min温度℃65±283±2常

7、温常温常温槽位8#槽9#槽10#槽11#槽12#槽13、14#槽功能漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间5min5min5min5min不使用不使用温度℃常温常温常温常温不使用不使用注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。11.1.2离心甩干工艺（见下表）项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数205rpm430rpm30秒180秒10秒10秒11.2大片盒放置硅片（同11.2.2表）11.2.1使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置1～11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺