电子技能训练

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1、检测题一一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场

2、的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表

3、棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）注释：P型半导体呈正电性2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。20（对）注释：空穴导电时，电

4、子会移动，称空穴为载流子。3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错）注释：看功率大小，小功率三级管用R*100档4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（错）注释：内外电场方向相反5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）注释：放大状态时才具有电流放大能力6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）注释：考定义7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）注释：击穿并不等于烧毁，只要限制击穿电流，使得不超过它的功耗，那么它是可逆的，当电压消失后，PN结就会恢复正常。8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I

5、CM时，该管必被击穿。（错）注释：Icm就是三极管的最大集电极电流。一般使用管子时，不允许超过此值，否则管子的β会显著变差，甚至损坏。9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）注释：双极型三级管就是NPN或PNP管，它的载流子是自由电子和空穴两种，除了自由电子的运动参与导电外，空穴也运动参与导电，因此称作双极型三极管。单极型管一般是指场效应，它的载流子是自由电子一种，只有自由电子运动参与导电，所以称作单极型管。10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）注释：不能互换使用，否则影响放大性能。如果互换会大大的降低电流放大倍数β值

6、，甚至于不能工作。三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。注释：因强效应管是利用多数载流导电也是电压控制元器件3、稳压二极管的正常工作状态是（C：因为稳压二极管是反向接法故选C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。注释：因为二极管是反向接法4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，20说明该二极管（C）。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、

7、无法判断。注释：这说明二极管正反电极产生老化不通5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。注释：因为加重电压时多数载流子加反向电压时是少数载流子6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（A）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。注释：因为发射结正偏集电结反偏7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。注释：因绝缘栅场效应管们没有击穿时栅和源极以及栅认为栅极和源极间绝缘电阻无限

8、大因些栅极静态电流近于08、正弦电流经