英飞凌MOSFET参数理解

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1、.. MOSFET参数理解分类： 电源分享2021-07-1614:33 4629人阅读 评论(0) 收藏 举报soa工作测试存储平台制造最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS最大栅源电压..word.zl...VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅

2、氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以可以保证应用的可靠性。ID-连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管外表温度在25℃或者更高温度下，可允许的最续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管外表温度在25℃〔Tcase〕也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID额定值TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID

3、，这个值更有现实意义。IDM-脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的上下，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。如以下列图，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。..word.zl...因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而

4、烧毁。这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接〞不是芯片，而是封装引线。考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下结温的情况。PD-容许沟道总功耗容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。TJ,TSTG-工作温度和存储环境温

5、度的围这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间，将极延长其工作寿命。EAS-单脉冲雪崩击穿能量如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)..word.zl...未超过击穿电压，那么器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的平安值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器

6、件可以平安吸收反向雪崩击穿能量的上下。L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使MOSFET处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。MOSFET并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全一样。通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。EAR-重复雪崩能量重复雪崩能量已经成为“工业标准〞，但是在没

7、有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何意义。散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。对于雪崩击穿所产生的能量上下也很难预测。额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。该定义的前提条件是：不对频率做任何限制，从而器件不会过热，这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。在验证器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度，来观察MOSFET器件是否存在过热情况，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。IAR-雪崩击穿电流对于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩

8、电流IAR进展限制。这样，雪崩电流变成雪崩击穿能量规格的“精细阐述〞；其提醒了器件真正的能力。..word.zl...第二局部静态电特性V(BR)DSS：漏-源击穿电压(破坏电压)V(BR)DSS〔有时候叫做BVDSS〕是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流到达一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪