电工学下册

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1、电工学下册电工技术:主要讲能量分配的问题。电子技术:主要讲信号处理的问题。模拟电子技术:处理模拟信号数字电子技术:处理数字信号电工学:是研究电工技术和电子技术的理论和应用的技术基础课.电工技术电子技术电工学通过课堂教学:掌握基本概念、工作原理、分析方法。公式与电路与特性曲线对应,看电路列公式,学会分析电路。通过做一定数量的习题,培养分析和解决问题的能力、计算能力,理解和巩固课堂上所学的知识。要求:绘图用尺、标明单位、书写工整,培养良好的学习习惯。通过做实验培养动手能力,学会正确使用常用的电子仪器和电工仪表,培养工作能力。学习方法:三大环节参考书目《电工学(第七版)学习辅导与习题解答》姜三勇

2、主编高等教育出版社课程学时:40学时(10周20次课)考核方式:总评成绩=考试卷面成绩(80%)+平时成绩(20%)电子技术第14章半导体器件第15章基本放大电路第18章直流稳压电源第21章触发器和时序逻辑电路第16章集成运算放大器第20章门电路和组合逻辑电路电工学(下)第17章电子电路中的反馈第14章半导体器件14.3二极管14.4稳压二极管14.5双极型晶体管14.2PN结及其单向导电性14.1半导体的导电特性本章要求:一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和电流放大作用;二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;三、会分析含有二极管的电路

3、。14.6光电器件半导体的基本知识14.1半导体的导电特性半导体的导电特性:(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。掺杂性:往纯净的半导体中掺入微量的某种杂质,导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导器件,如二极管、三极管和晶闸管)。光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强14.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子,称为价电子。SiSiSiSi价电子SiSiSiSi价电子价电子在获得一定能量(温度升

4、高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。本征半导体的导电机理空穴温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中又出现一个空穴,如此继续下去,就好像空穴在运动(相当于正电荷的移动)。本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发。本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动电子电流(2)被原子束缚的价电子递补空穴空穴电流注意:(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;(2)温度愈高,载流子的数目愈多,

5、半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对产生的同时,又不断复合。在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子便维持一定的数目。14.1.2N型半导体和P型半导体掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。14.1.2N型半导体和P型半导

6、体掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或P型半导体。掺入三价元素SiSiSiSi在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。应注意:14.2PN结及其单向导电性14.2.1PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称PN结在没有外电场的作用时,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区的厚度固定不变。PN结处于相对稳定的状态。--

7、--------------++++++++++++++++++++++++--------动画形成空间电荷区PN结是构成各种半导体器件的基础。14.2.2PN结的单向导电性1.PN结加正向电压(正向偏置)PN结变窄P接正、N接负外电场IF内电场被削弱,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流。PN结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。内电场PN------------------++++

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