zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文

zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文

ID:800170

大小:9.32 MB

页数:54页

时间:2017-09-05

zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文_第1页
zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文_第2页
zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文_第3页
zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文_第4页
zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文_第5页
资源描述:

《zr基阻挡层薄膜的制备及表征毕业论文》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、摘  要与传统的金属互连材料Al相比,Cu具有更低的电阻率,更好的抗电迁徙性能和更高的热传导系数。采用Cu作为互连线材料可大大提高电路的运算速度与可靠性,铜已经取代了铝成为新一代的互连材料。但Cu在Si和Si的氧化物中扩散相当快,且Cu一旦进入其中即形成深能级杂质,对器件中的载流子具有很强的陷阱效应,使器件性能退化甚至失效。而要解决Cu扩散问题的同时增强Cu与介质的附着力,就必须在Cu与Si或SiO2之间增加一个扩散阻挡层。Ta-Si-N是很好的扩散阻挡层材料,然而Ta-Si-N的电阻率大于600µΩ.cm不能很好地满足未来电路高速运行的特点。本

2、文设计了一种新型的Ta-Si-N/Zr阻挡层旨在降低阻挡层与Cu膜和Si间的接触电阻,提高电路的运行速度。首先通过射频磁控溅射法在Si基片上沉积Ta-Si-N/Zr薄膜,然后在阻挡层上沉积Cu膜。为了研究Cu/Ta-Si-N/Zr/Si体系的热稳定性,本文将在高纯N2环境下对试样退火1小时,退火温度从600℃到800℃。最后使用XRD、AES、SEM、XPS以及FPP等方法对试样进行热稳定性评价。实验结果表明Ta-Si-N/Zr薄膜在750℃时仍能有效的阻挡Cu的扩散。通过750℃退火处理后,体系中生成的ZrSi2明显降低阻挡层与Si基片之间的电

3、阻。关键词:Ta-Si-N/Zr;扩散阻挡层;Cu互连;射频磁控溅射AbstractToreducetheinterconnectiondelay,CumetallizationistakingtheplaeeoftraditionalAlintereonnectionduetoitslowerresistivityandsuperiorresistanectoelectromigration.However,adhesionofCutoSisubstrateispoor.Inaddition,Cuatomsarequitemobileandca

4、ndiffuseintoSieasily,whichleadstoformationofCu-SiCompounds.Cuatomsactasdeeplevelimpurities,affectingthereliabilityofdevices.Therefore,itisnecessarytoadddiffusionbatrierbetweenSiandCu.ThispaperwillintroduceabarrierlayerofTa-Si-N/ZrwhichmayreducethecontactresistancebetweenCuand

5、Si.TheTa-Si-N/Zrbilayerfilmwasgrownonn-type(100)siliconwaferbyRFmagnetronsputtering,followedbyinsitudepositionofCu.TheCu/Ta-Si-N/Zr/Sisamplesweresubsequentlyannealedatdifferenttemperaturesrangingfrom600to750℃inN2gasfor1h.Inordertoinvestigatethethermalstabilityofthebarrierstru

6、cture,X-raydiffraction(XRD),Augerelectronspectroscopy(AES),scanningelectronmicroscopy(SEM)and4-pointprobetechnique(FPP)wereperformedrespectively.TheresultsrevealedthatTa-Si-N/Zrfilmcanserveaseffectivediffusionbarriersupto750℃.Afterannealingat750℃,theproductionofZrSi2layercane

7、ffectivelydecreasecontactresistancebetweenbarrierandSi.Keywords:Ta-Si-N/Zr;Diffusionbarrier;Cuinterconnection;RFmagnetronsputtering目  录第1章 绪论11.1 集成电路金属互连材料的发展11.1.1 Cu互连材料的优势与存在的问题31.1.2 Cu互连的应用和发展状况51.2 扩散阻挡膜61.2.1 扩散阻挡膜的定义及性能要求61.2.2 阻挡层材料的分类81.2.3 阻挡层材料的发展101.3 常用的阻挡层制备工艺

8、131.3.1 物理气相沉积131.3.2 磁控溅射141.4 选题背景及主要研究内容15第2章 阻挡膜的制备及表征方法172.1 实验

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。