《材料科学基础》试卷

《材料科学基础》试卷

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时间:2018-05-17

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1、一,判断题:1.在图1所示的陶瓷封装IC中,引线和引线框架均采用Al-Si合金制成。2.硅和锗均属于共价键晶体,其价电子是局域化的,共价键最显著的特点是具有方向性和饱和性,因此该类晶体几乎不能进行塑性变形,且往往脆性较大。3.从本质上看,原子或分子在固体中扩散的驱动力是化学势梯度。4.如果仅考虑温度一个外界条件的作用,则四元体系处于互相平衡状态时,体系的自由度为0,表示该体系中五个相的成分以及对应的温度均恒定不变。5.A-B二元系中,A-B组元在液态下有限互溶,形成L1和L2两种液相,在固态下,两组元可形成不稳定的化合物相(β),在Ts温度下出现二相

2、平衡反应,在此反应之前,体系由L1和L2两种液相组成,此反应结束后,体系由单一的β相组成,则此反应式为L1+L2=>β,称为合晶反应(转变)。6.纯铜的电阻率高于Cu-Ni合金的电阻率。7.石英玻璃光纤中存在吸收损耗、散射损耗、弯曲损耗和涂层损耗等多种损耗,使总损耗谱呈图2所示,其中最早开发的是0.85nm的第一窗口,因为首先研究成功的半导体激光器(GaAlAs)的发射波长刚好在此波长范围。8.电解电容器的电介质是Al、Nb、Ta等阀金属表面经阳极氧化后形成的氧化膜。1.与刻录数据前相比,刻录后的不可擦除的CD光盘的表面形貌没有发生任何变化。10.H

3、IC中的引线框架材料可以是Fe-Ni合金,也可以是Cu-Fe-P合金,室温下,Fe具有fa晶体结构,Cu具有ba晶体结构,两者的致密度分别为0.68和0.74。二、填空题1、如图:立方晶系中:L为DH中点;晶面TEG指数为,HEG指数为,两晶面夹角为。2、位错是一种线缺陷,根据位置线与柏氏矢量之间的几何关系,可将位错划分为三类。3、相对于正常凝固而言,区域熔炼在工艺和效果上的最大特点是:4、合金凝固的外部条件是存在一定的过冷,内部条件是存在,,。5、在压电材料中,机电耦合系数用于描述。6、在II介电陶瓷中,常需使用移峰剂,其作用是:。7、为了能同时清

4、晰地观察到引线与芯片,引线与引线框架这两个不在同一平面的连接情况,最好采用显微镜。8、当温度降低至超导临界转变温度Tc一下时,超导体的电阻值突然消失,超导体进入超导状态,此时及对这一状态影响很大,当上述两参数值过大时,均会使超导消失。三、简述固溶体的四种分类及其分类结果。8三、间隙化合物,间隙相,间隙固溶体的区别。四、根据图4试验结果,说明可采用哪些方法提高Nb-Ti超导合金线材的临界电流密度,为什么?6三、试述蒸镀过程(例如蒸镀光碟上的Te基合金)必须在一定真空度下进行的原因六、试比较磁光型光盘与相变型光盘在工作原理上的区别(7)七、试叙述第一类超

5、导体和第二类超导体的区别。7八、试根据给出的Te-Ge二元相图,写出所有三相平衡反应式。并说明反应类型和名称。6九、结合Sn-Sb二元相图,回答:A.Sn-Sb二元体系中会出现哪些三相反应4B.分析Sn~5%atSb(原子百分比)无铅焊料的平衡凝固过程,写出室温下的平衡凝固组织。5C.分别写出在220度和160度下保温足够长的时间后,族合金的平衡组织,并分别计算两种情况下平衡组织中各相的百分比。如果保温后快速冷却到室温,试说明相对于缓慢冷却而言,两种显微组织有何变化?为什么?6十、陶瓷材料含体积百分比为85%的主晶相A致密状态下地相对介电常数为100

6、,还有15%的次晶相B致密状态下相对介电常数为90%。计算和比较:1、该陶瓷在主晶相和次晶相没有气孔时的介电常数。2、该陶瓷在主晶相和次晶相均含有15%的气孔时的介电常数。3、该陶瓷在主晶相含有15%的气孔、次晶相致密时的介电常数。4、该陶瓷在次晶相含有15%的气孔、主晶相致密时的介电常数。5、比较四者并总结显微组织的影响规律。提示:由A、B两个均匀的相组成的材料相对常数可表示为:

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