2009年材料现代分析方法复习和思考题(缩减版本final)

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1、X射线复习和思考题（陈老师讲课内容）一、名词解释1、物相分析：2、零层倒易面：3、X射线：4、Ka射线与Kb射线、5、短波限6、吸收限7、质量吸收系数8、晶带10、二次特征辐射(X射线荧光辐射)二、简答，论述，计算题1、辨析点阵与阵胞、点阵与晶体结构、阵胞与晶胞的关系．2、在面心立方晶胞中标明（001）、（002）和（003）面，并据此回答：干涉指数表示的晶面上是否一定有原子分布？为什么？3、判别下列哪些晶面属于[]晶带：（），（），（231），（211），（），（），（），（），（），（212）。4、试计算（）及（）的共同

2、晶带轴。5、何为晶带，说明晶带定律？6、何为倒易矢量，它的基本性质是什么？7、已知某点阵｜a｜＝3Å，｜b｜＝2Å，γ＝60°，c∥a×b，试用图解法求r*110与r*210·8、试述X射线的定义、性质，连续X射线和特征X射线的产生、有何应用？9、辨析概念：x射线散射、衍射与反射。10、X射线与物质相互作用有哪些现象和规律？利用这些现象和规律可以进行哪些科学研究工作,有哪些实际应用？11．为什么衍射线束的方向与晶胞的形状和大小有关？12．当波长为λ的X射线照射到晶体并出现衍射线时，相邻两个（hkl）反射线的光程差是多少？相邻

3、两个（HKL）反射线的光程差又是多少？13．α-Fe为立方系晶体，点阵常数a=0.2866nm，如用CrλKα=0.22909nm进行摄照，求(110)和(200)面的衍射布拉格角。14、CuKα射线（λKα＝0.154nm）照射Cu样品。已知Cu的点阵常数a＝0.361nm，试分别用布拉格方程与厄瓦尔德图解法求其（200）反射的θ角。15．CuKα辐射（λ=0.154nm）照射Ag（FCC）样品，测得第一衍射峰的位置2θ=38°，试求Ag的点阵常数。16．简述衍射产生的充分必要条件？17．是否所有满足布拉格条件的晶面都产生

4、衍射束？为什么？18．计算结构因数时，基点的选择原则是什么？如计算体心立方点阵，选择（0，0，0）、（1，1，0）、（0，1，0）与（1，0，0）四个原子是否可以？如计算面心立方点阵，选择（0，0，0）、（1，1，0）、（0，1，0）与（1，0，0）四个原子是否可以，为什么？19、推导出体心立方晶体的消光规律？20、试用厄瓦尔德图解来说明德拜衍射花样的形成。21、在试用简单立方（a=0.300nm）结构的物质所摄得的粉末图样上，确定其最初三根线条（即最低的2θ值）的2θ与晶面指数(HKL)。入射用CuKα（λKα＝0.154

5、nm）。22．测角仪在采集衍射图时，如果试样表面转到与入射线成30°角，则计数管与入射线所成角度为多少？能产生衍射的晶面，与试样的自由表面呈何种几何关系？23、简述X射线实验方法在现代材料研究中有哪些主要应用？24．何为零层倒易截面和晶带定理？说明同一晶带中各晶面及其倒易矢量与晶带轴之间的关系？25.说明为什么对于同一材料其λK<λKβ<λKα?26.特征X射线与荧光X射线的产生机理有何不同？27.为什么说衍射线束的强度与晶胞中原子位置和种类有关？获得衍射线的充分条件是什么？28．试述X射线粉末衍射法物相定性分析过程及注意的

6、问题。29．物相定量分析的原理是什么？试述用K值法进行物相定量分析的过程。30．试述原子散射因数f和结构因子F的物理意义,结构因子与哪些因素有关系？31．推导出底心立方和金刚石立方晶体的消光规律。32．衍射仪测量在入射光束、试样形状、试样吸收以及衍射线记录等方面与德拜法有何不同？33．如何根据X射线衍射区分简单立方和面心立方？35.写出简单P点阵，体心I点阵，面心F点阵的系统消光规律。36.物相定性分析的基本方法是什么？37.滤波片元素的选择规则是什么？38．影响X射线连续谱强度的因素是什么？概论，电子显微分析及电子能谱复习

7、和思考题（索老师讲课内容）1.在电镜中，电子束的波长主要取决于什么？2.什么是电磁透镜？电子在电磁透镜中如何运动？与光在光学系统中的运动有何不同？3.电磁透镜具有哪几种像差？是怎样产生的，是否可以消除？如何来消除和减少像差？4.什么是分辨率，影响透射电子显微镜分辨率的因素是哪些？5.什么是电磁透镜的分辨本领？主要取决于什么？为什么电磁透镜要采用小孔径角成像？6.说明影响光学显微镜和电磁透镜分辨率的关键因素是什么？如何提高电磁透镜的分辨率？7.试比较光学显微镜成像和透射电子微镜成像的异同点，8.金属薄膜样品的制备过程有哪些特点

8、？怎样才能制备出合乎要求的样品？1.为什么透射电镜的样品要求非常薄，而扫描电镜无此要求？2.什么是衍射衬度？它与质厚衬度有什么区别？3.何谓衬度？TEM能产生哪几种衬度像，是怎么产生的，都有何用途？4.画图说明衍衬成像原理，并说明什么是明场像，暗场像和中心暗场像。5.制备薄样品的基本要求是