试题内容覆盖范围

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1、试题内容覆盖范围科目名称试题覆盖范围指定参考书及出版社名804半导体物理参考附件1详见国科大招生网站刘恩科、朱秉升、罗晋生等，《半导体物理学》，电子工业出版社或西安交通大学出版社2008版856电子线路参考附件2详见国科大招生网站1、RobertL.Boylestad,LouisNashelsky（作者）,李立华,李永华(译者)，模拟电子技术，电子工业出版社;第1版(2008年6月1日)，国外电子与通信教材系列2、童诗白、华成英，模拟电子技术基础（第三版），高等教育出版社，2001年3、(美)JohnF.Wak

2、erly林生葛红金京林（翻译）数字设计:原理与实践(原书第4版)，机械工业出版社，2007年5月4、阎石，数字电子技术基础（第五版），高等教育出版社859信号与系统参考附件3详见国科大招生网站郑君里等，《信号与系统》，上下册，高等教育出版社，2011年3月，第三版声明：从2015年起，中国科学院微电子所的硕士研究生入学考试科目“半导体物理（804）、电子线路（856）、信号与系统（859）”全部由中国科学院大学统一命题。考试大纲及2012年－2013年真题见国科大网站：http://admission.ucas

3、.ac.cn/home/detail/ab9793e6-b916-4900-8728-1bd095806c1e附件一：804-《半导体物理》考试大纲附件二：856-《电子线路》考试大纲附件三：859-《信号语系统》考试大纲附件1：中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子

4、的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。一、考试形式（一）闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分（二）试卷结构第一部分：名词解释，约50分第二部分：简答题，约20分第三部分：计算题、证明题，约80分二、考试内容（一）半导体的电

5、子状态：半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级（三）半导体中载流子的统计分布状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体（四）半导体的导电性载流子的漂移运动，迁移率，

6、载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应（五）非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式（六）p-n结p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触

7、（八）半导体表面与MIS结构表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响（九）异质结异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效

8、应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用三、考试要求（一）半导体的晶格结构和电子状态1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。6．理解硅和锗的能带