场发射扫描电镜技术参数

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1、场发射扫描电镜技术参数一、系统基本信息:1.1系统名称:场发射扫描电镜。1.2系统数量:1套。1.3系统组成:主机,Schottky型场发射电子源,无交叉光路Gemini镜筒,圆形一体化样品室,5轴全自动马达驱动样品台,环形Inlens二次电子探测器,样品室二次电子探测器,背散射电子探测器,CCD摄像机,计算机系统,操作软件,真空系统,循环水冷却系统、空气压缩机、能谱仪,原装进口离子溅射仪,备用热场发射灯丝1根,导电胶带2卷。二、用途:该设备主要用于金属材料、非金属材料、纳米材料的检测,可以对样品进行直接的超高分辨微观形貌观察和微

2、区元素分析。三、技术要求:1工作条件:1.1电源电压:220V±10V,单相50Hz,工作温度:18°C-25°C,磁场:≤3mGauss,湿度:≤60%RH,接地:独立的接地线。1.2仪器运行的持久性:长时间连续工作。2性能指标:★2.1分辨率:0.8nm@15kV1.6nm@1kV★2.2加速电压:0.02-30kV★2.3加速电压调整步长:每档10V连续可调2.4探针电流:12pA-20nA2.5稳定性:优于0.2%/h2.6放大倍数范围:10-1,000,000×3电子光学系统:3.1电子发射源:Schottky型场发射(

3、热场发射)电子源。★3.2Gemini镜筒:无交叉光路设计,电子束仅在样品表面进行一次汇聚,彻底消除电子束交叉三次发生能量扩散大的问题。★3.3电子束加速器:无需切换模式即可实现低电压模式下电子束在镜筒内维持较高能量到达样品表面,可低至20V。能适应的表面凹凸不平样品不导电样品、成分复杂样品、需要倾斜观测的样品。★3.4透镜系统:电磁透镜/静电透镜式复合物镜。在任何电压条件下样品表面不形成磁场,在极短工作距离下对磁性样品的高分辨成像。3.5聚焦:工作距离:范围可由1mm至50mm。具有灵敏度与放大倍数相关的粗调和细调。在整个加速电

4、压变化范围内,自动补偿。对倾斜样品进行聚焦矫正。3.7消像散器:八极电磁式系统3.8光栏3.8.1数量:七孔光阑.通过自动补偿套件可达到精准合轴3.8.2调整:电磁选择和软件调整3.8.3光阑尺寸:7µm,10µm,15µm,20µm,30µm,60µm,120µm3.9扫描速率:17档扫描速度可选3.10扫描方式:全帧、选区、定点、线扫描、扫描旋转、倾斜补偿3.11电子束位移宽度:±14.5µm4样品室4.1样品室采用圆形一体化设计,抗磁,防震,抗躁声。4.2样品室尺寸:358mm(φ),270.5mm(h)4.3最大样品尺寸:

5、不小于200mm(直径)4.4样品置换时间(抽真空时间):不大于5分钟4.5附件接口:在样品室上提供15个附件接口,可同时接三台EDS探测器。4.6样品台类型:双操纵杆控制5轴全自动马达驱动4.7样品台装配方式:抽屉式拉门。4.8样品台移动范围:★4.8.1X=130mm,★4.8.2Y=130mm,4.8.3Z=50mm,4.8.4T=-4º-70º,4.8.5R=360º连续5探测器5.1镜筒内Inlens二次电子探测器:采用环形设计,接收无死角。5.2样品室二次电子探测器5.3背散射电子探测器5.4CCD摄像机6信号选择:二

6、次电子信号、背散射电子信号等,任何二个通道信号都可进行混合,以获取更佳的图像效果。可手动或自动控制对比度/亮度。7图像显示7.1存储分辨率:不小于32kx24k像素(最大)7.2显示分辨率:1024×768像素7.3降噪处理:像素平均、连续平均、帧和行叠加7.4具有数据区、状态显示、图像注释和测量功能7.5可在Windows支持的外部设备上存储及打印图像8数据处理系统:8.1中央处理器:因特尔酷睿2四核处理器,4G内存,24"液晶显示器8.2操作系统:基于Windows7的SmartSEM操作系统8.3外界接口:串行、并行、SCS

7、I、USB2.0接口、网络8.4磁盘驱动器:硬盘:1000GB;光驱:DVD+/-R/RW8.5电镜控制操作软件。9全自动控制真空系统:无油机械泵+分子泵+离子泵,样品室极限真空度:优于2.0×10-4Pa10能谱仪技术指标1)★探测器:硅漂移晶体,超薄窗口,完全独立真空;晶体实际面积不小于30mm2,有效采集面积不小于20mm2。2)元素分析范围Be4—U923)免维护性:帕尔帖制冷,随时可以断电,探头不结霜。4)分辨率MnKa优于127eV,CKa优于56eV,FKa优于65eV(20000CPS);在不同计数率下谱峰稳定,分

8、辨率衰减小于1eV。5)输出最大计数率:大于500,000CPS谱峰无畸变,可处理最大计数率优于750,000CPS6)图形处理器配置不低于:P4双核CPU,2G内存,1000GB硬盘,DVD/RW刻录光驱,24”平板液晶显示器,原装专用实验台等7

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