理工论文自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展.doc

《理工论文自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展是小柯论文网通过网络搜集，并由本站工作人员整理后发布的，自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展是篇质量较高的学术论文，供本站访问者学习和学术交流参考之用，不可用于其他商业目的，自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展的论文版权归原作者所有，因网络整理，有些文章作者不详，敬请谅解，如需转摘，请注明出处小柯论文网，如果此论文无法满足您的论文要求，您可以申请本站帮您代写论文，以下是正文。　　摘要文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻(GMR)、隧穿磁电阻(TMR)、庞磁电阻(C

2、MR)和反铁磁钉扎薄膜材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材料、P

3、N异质结和纳米环磁随机存储器原理型演示器件设计等研究方面取得的一些重要研究成果和进展.例如：在Al

4、O势垒磁性隧道结材料体系里，获得室温磁电阻超过80%的国际最好结果；获得两种高性能层状反铁磁钉扎材料体系；发现具有大的电致电阻效应的CMR薄膜材料，并可期望用于电流直接进行磁信息写和读操作的磁存储介质；发现双势垒磁性隧道结中的量子阱态共振隧穿和磁电阻振荡效应，以及纳米器件体系中自旋翻转长度的观测新方法，可用于新型自旋电子学材料及相关器件的人工辅助设计；利用电子自旋共振谱探测和研究了金属氧化物的微

5、观自旋结构和各向异性；在［CoFe/Pt］n磁性金属多层膜中，观测到超高灵敏度的反常霍尔效应；利用纳米环状磁性隧道结作为存储单元，研制出一种新型纳米环磁随机存储器MRAM原理型演示器件.　　关键词自旋电子学,巨磁电阻,隧穿磁电阻,庞磁电阻,磁随机存储器,自旋转移力矩,电子自旋共振　　Spintronicmaterials,physicsanddevicedesigns　　HANXiu

6、Feng　　(StateKeyLaboratoryofMagnetism,InstituteofPhysics,ChineseAcademyofSciences,Beijing1

7、00190,China)　　AbstractRecently,intheStateKeyLaboratoryofMagnetismamorphousAl

8、Obarrierbasedmagnetic

9、tunnel

10、junctions(MTJs)withring

11、shapedstructuresandatunnelingmagneticresonanceratioof80%atroomtemperatureweremicro

12、fabricated.HighorderedFePtandantiferromagnetic(Cr25Mn25)Pt50thin

13、filmswithgoodthermalstabilityandhighcoercivitywerealsosynthesized.Largecurrent

14、inducedresistanceeffectsincolossalmagneticresonancethinfilmswasobserved.AnewmethodwasdesignedtoobservespinflipscatteringinthenanometersizedspacerlayerneartheballisticlimitbasedonMTJs.Animportantfirst

15、prin

16、ciplesstudyofquantumwell(QW)statesandQW

17、resonancetunnelinginthesymmetricepitaxialFe(001)/MgO/Fe/MgO/FedoublebarrierMTJwasperformed.Electronspinresonancespectrawassuccessfullyusedtoinvestigatetheinterlayerexchangecouplingandanisotropicspin自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展是小

18、柯论文网通过网络搜集，并由本站工作人员整理后发布的，自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展是篇质量较高的学术论文，供本站访问者学习和学术交流参考之用，不可用于其他商业目的，自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展的论文版权归原作者所有，因网络整理，有些文章作者不详，敬请谅解，如需转摘，请注明出处小柯论文网，如果此论文无法满足您的论文要求，您可以申请本站帮您代写论文，以下是正文。　　摘要文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻(GMR)、隧穿磁电阻(TMR)、庞磁电阻(CMR)和反铁磁钉扎薄膜材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材料、P

19、N异质结和纳米环磁随机

20、存储器原理