本科毕设论文-—cmos运算放大器设计.doc

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1、西南大学本科毕业论文(设计)目录摘要3Abstract40文献综述50.1集成电路概述50.2集成电路的发展50.3  集成电路应用领域60.4CMOS集成电路90.5运算放大器90.6CMOS运算放大器101引言111.1运算放大器简介111.2本文研究内容122CMOS运算放大器122.1CMOS运算放大器简介122.2CMOS运算放大器的设计流程133CMOS运算放大器电路设计143.1电路的PSpice模拟及理论计算143.2电路结构分析及参数调试153.3电路仿真154CMOS运算放大器版图设计254.1版图设计流程254.2工艺设计规则264.3单元器件的绘制——图元274.4

2、CMOS放大器的版图设计314.5T-Spice仿真345总结3843西南大学本科毕业论文(设计)参考文献39致谢4143西南大学本科毕业论文(设计)毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文),是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知,除文中特别加以标注和致谢的地方外,不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体,均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作者签名:     日 期:     指导教师签

3、名:     日  期:     使用授权说明本人完全了解大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定,即:按照学校要求提交毕业设计(论文)的印刷本和电子版本;学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版,并提供目录检索与阅览服务;学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文;在不以赢利为目的前提下,学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名:     日 期:     43西南大学本科毕业论文(设计)学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集

4、体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名:日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权    大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名:日期:年月日导师签名:日期:年月日43西南大学本科毕业论文(设计)CMOS运算放大器摘要:CMOS全称Comple

5、mentaryMetalOxideSemiconductor,即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。CMOS加工工艺使得电路拥有低功耗的特点,由于CMOS中一堆MOS组成的门电路在电路工作的瞬间要么是NMOS导通、要么是PMOS导通、要么都截止,因此效率很高,功耗很低。CMOS运算放大器由于具有可靠性高、成本低廉、调试方便,在电子电路的各个领域中应用都相当广泛,当今99%的数字系统采用CMOS工艺实现。因此CMOS运放成为了研究热点。本文着重论述CMOS运算放大器的设计与仿真,论文中主要研究了以下几方面的关键问题:一、CMOS运算放大器的电路结构;二、CMOS运

6、算放大器的电路参数;三、CMOS运算放大器的L-Edit仿真。本人对CMOS运放电路采用了pspice软件设计电路结构,计算并调试参数、最后采用了L-Edit软件绘制了版图。关键词:CMOS、运算放大器、电路模拟、版图设计。TheCMOSoperationalamplifierHuangHaibin43西南大学本科毕业论文(设计)CollegeofEngineeringandTechnology,SouthwestUniversity,Chongqing400715,ChinaAbstract:ThefullnameofCMOSComplementaryMetalOxideSemicond

7、uctor,whichiscomplementarymetaloxidesemiconductor,isalarge-scaleintegratedcircuitchipmanufacturingrawmaterials.ThecharacteristicsofCMOStechnologymakesthecircuithaslowpowerconsumption,becausethegatecircuitcomposed

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