探讨其结晶方向对双三乙基矽烷基乙炔基双噻吩蒽有机薄膜电

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1、探討其結晶方向對5,11-雙(三乙基矽烷基乙炔基)雙噻吩蒽有機薄膜電晶體之特性StudiesontheElectricalCharacteristicsof5,11-Bis(triethylsilylethylnyl)anthradithiopheneOrganicThinFilmTransistorsbyCrystal-GrownDirection專題生:江艾樺(Ai-huaJiang)指導教授:郭欽湊(Prof.Chin-TsouKuo)大同大學化學工程學系專題報告DepartmentofChemicalEngineeringTatungUniversity中華民國

2、一百零一年十一月Nov.2012摘要  本實驗以Triethylsilylethylnylanthradithiophene(TESADT)作為半導體層材料,並使用定量吸管拖曳液滴的方式塗佈半導體層,來探討拖曳方向對TESADT跟元件電特性的影響。由實驗得知,將液滴直接滴落於通道中間時,所測得的載子位移率是為最佳的,其mobility值為1.44×10-1cm2/Vs,on/offcurrentratio為2.60×104,VT為-4.2V。而有方向的形況,則是夾角為45度之元件電特性最差。目錄摘要…………………………..………………………………………I目錄………………

3、………………………………………………….II圖目錄………………………………………………………………IV表目錄……………………………………………………………….VII第一章簡介…………………………………………………………..11-1前言……………………………………………………...........11-2能帶理論………………………………………………...........2第二章文獻回顧……………………………………………………..42-1有機薄膜電晶體(OrganicThinFilmTransistor,OTFT)……42-2電晶體之重要參數及公式計算……………………………

4、….52-2-1載子位移率(Mobility)………………………………......52-2-2起始電壓(Thresholdvoltage,VT)………………….........72-2-3次臨界斜率(Subthresholdslope)………………………..72-2-4開關電流比(On/offcurrentratio)……………………...82-3結晶型態的控制……………………………………………….82-4雙(三異丙基矽烷基乙炔基)雙噻吩蒽………………………..92-5研究目的及動機……………………………………………11第三章實驗……………………………………………………

5、…....123-1器材………………………………………………………....123-2步驟…………………………………………………………133-2-1OTFT元件之製備:下接觸式元件(Bottom-contact)....133-2-2半導體成膜…………………………………………..173-2-3儀器原理及參數設定………………………………..18第一章結果與討論………………………………………………..20第二章結論………………………………………………………..36參考文獻……………………………………………………………..37圖目錄Figure1-1Simplebandpict

6、ureexplainingthedifferenceamongthe(a)insulator,(b)semiconductor,and(c)metal[9]………………3Figure2-1Schematicrepresentationsoffield-effecttransistorarchitectures,(a)top-gatebottom-contact,(b)top-gatetop-contact,(c)bottom-gatebottom-contact,and(d)bottom-gatetop-contact[13]………………………………4Figure2.2

7、StructureofTIPS-PEN(a)andTES-PEN(b)………………..9Figure2.3StructureofTESADT………………………………………10Figure3-1ArchitectureofTESADTOTFT:(a)sidelongglanceand(b)overlook…………………………………………………….16Figure3-2FabricationprocessofTESADTthinfilmdepositedonthesubstrate...............................

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