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1、水污染控制光催化氧化技术目录2光催化氧化技术的基本原理及特点1.光催化氧化技术的影响因素2.光催化氧化技术存在问题.3参考文献.4光催化氧化技术的概念3光催化氧化是在反应溶液中加入一定量的半导体催化剂，使其在紫外光的照射下产生，通过的强氧化作用降解有机污染物。4光催化氧化技术的基本原理—半导体的能带理论当用能量等于或大于禁带宽度的光照射时，半导体价带上的电子e-被激发跃迁到导带，同时在价带产生相应的空穴h+，这样在半导体内部生成e--h+对。它们能够在电场作用下或通过扩散的方式运动，与吸附在半导体催化剂粒子表面上的物质发生氧化或还
2、原反应。5图1光催化氧化原理图价带禁带导带还原性物质被空穴h+氧化氧化性物质被电子e-还原6常用的催化剂光催化氧化常用的催化剂有：TiO2、ZnO、CdS、WO3等。TiO2原料易得，耐腐蚀性能好，对光的稳定性强，且具有较强的光催化氧化能力，是使用最多的光催化剂。图2TiO2光电效应图7TiO2光催化机理8光催化氧化技术的特点适用范围广，处理效果好反应成本低且反应条件温和反应易于控制且反应过程不产生二次污染反应速度快9光催化氧化的影响因素—催化剂用量有机污染物的降解率开始随TiO2用量的增加而提高，当量增加到一定量时降解速率不再提
3、高，反而有所下降。开始速率提高是因为催化剂的增加，产生的增加，当催化剂增加到一定的程度时，会对光吸收有影响。10Fig.3EffectofcatalystloadingonphotocatalyticdegradationrateofBrij35Experimentalcondition:[Brij35]0=0.25mM,I=19.9mWcm-2,VL=250mL,T=298K,pH7.0最佳催化剂量0.1g/L11Fig.4EffectofcatalystloadingonPCDofphthalicacid(phthalicac
4、idconcentration=100mg/L,reactiontime=6h)12光催化氧化的影响因素—污染物种类吸附到TiO2表面的速度较快,但降解速度较慢苯环结构易受攻击有机污染物以长碳链为主的烷烃类含苯环的芳香族类化合物13Fig.5Degradationofvariousaromaticcarboxylicacidswithtime(acidconcentration=100mg/L,catalystamount=2.5g/L)邻氯苯甲酸苯甲酸邻苯二甲酸邻硝基苯甲酸14光催化氧化的影响因素—温度受温度影响的反应步骤主要是
5、吸附、解吸、表面迁移和重排,而这些均不是决定光反应速率的关键步骤,因而反应温度对光催化降解污染物的影响很小。15麦草畏化学结构Fig.6Effectoftemperatureonthesolarphotocatalyticdegradationofdicambainaqueoussolution.Insertfigure:plotofLn(k)versus1/T.Dicamba=10μg/mL,TiO2=30mg(1mg/mL),irradiationtime=10min,lightintensity=1.6mW/cm2,pH5.
6、0.16光催化氧化的影响因素—温度Fig.7Proposedphotocatalyticdegradationpathwayofdicamba.17光催化氧化的影响因素—pH反应体系的pH值对TiO2表面态、界面电位和表面电荷及聚集性均有较明显的影响。pH较低时,TiO2表面质子化,使其表面带有正电荷,因而对光生电子向TiO2表面转移有利；pH较高时,OH-将使TiO2表面带有负电荷,有利于空穴从颗粒内部转移到颗粒的表面；因此,光催化氧化一般在pH值较高或较低时反应速度最大。18Fig.8EffectofinitialpHonth
7、esolarphotocatalyticdegradationofdicambainaqueoussolution.Dicamba=10μg/mL,TiO2=30mg(1mg/mL),irradiationtime=10min,lightintensity=1.6mW/cm2,20℃最佳pH5.019Fig.9PhotocatalyticdegradationofBrig35atdifferentpH20光催化氧化的影响因素—污染物初始浓度反应物浓度很低时，降解速率与浓度成正比；反应物浓度增加到某一程度时，随着反应物浓度加，反应速
8、率虽有所增加，但这种增加与反应物已不存在正比例关系；反应物浓度达到某一高度时，反应速率将不再随浓度的变化而变化。21Fig.10Effectofinitialconcentrationofphthalicacidonthedegradationam
