纳米sio在水基体系中的分散稳定性研究

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1、纳米SiO2在水基体系中的分散稳定性研究第47卷第6期2009年6月上海涂料SHANGHAICOATINGSV01.47No.6Jun.2009纳米Si02在水基体系中的分散稳定性研究徐勇黄高山杨毅张凌(湖南农业大学应用化学系,长沙410128),!摘要:通过溶胶~凝胶法制得粒径4、q~70效栗,研究其在水基体系中的分散稳定性。中图分类号:TQ630.6文献标识码:Anm愀Si02微粉,对比物理、劈分散方法的分散文章编号:1009—1696(2009)06—0030-03激光光散射粒度分析仪;M294604型超声波清洗仪;Anke关键词:纳米二氧化硅;分散

2、稳定性;水性涂料———————————————————————————————————————————————0前言纳米粒子具有表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等四大效应,由此而诞生许TDL80—2B离心机;SPECTROPHOTOMETERVIS一7220可见分光光度计;WQF一310型傅立叶变换红外光谱仪;马弗炉;恒温磁力搅拌器;恒温水浴锅;干燥箱。1.3纳米二氧化硅粒子的制备多特殊性能,使其应用前景非常广阔。纳米粒子应用于涂料中能有效改善涂料的力学性能、光学性能、施工性能以及环保性能。水性涂料作为涂料发展的重要方向之一,纳米粒子在

3、水性涂料中的应用就备受关注。而纳米粒子在水基体系中的分散稳定性直接影响其在水性涂料中的应用前景。将正硅酸四乙酯加入到一定比例的去离子水和无水乙醇的混合溶剂中,于70qC搅拌回流1.5h,加入催化剂恒温1h,得透明凝胶,陈化10h,干燥、研磨,再于500。C煅烧lh,即得粒径在40~70nm的白色二氧化硅微粉。1实验部分1.1实验药品正硅酸四乙酯;氨水;草酸;无水乙醇;十二烷基苯磺酸钠;硅酸钠;六偏磷酸钠;OP一10。1.2主要实验设备———————————————————————————————————————————————METrLERTOLEDO1.

4、4分散稳定性实验(1)物理分散准确称取一定量的纳米二氧化硅微粉,置于一定体积的去离子水中,超声波分散30min,得到纳米二氧化硅的水基分散体系,静置沉淀,每隔一定时间,观察并记录分散效果。AL204型电子天平;N4PLUS(2)化学分散称取一定量的分散剂,溶于一定体积的水中,再【收稿日期】2009—03-093结语综上所述,由ATRP法制得的PS—PtBA—PMPS的嵌段共聚物水解,得到了窄分布的两亲性三嵌段共聚物PS—PAA—PMPS,该共聚物在选择性溶剂中自组装形成胶束对金属盐具有增溶作用。结果表明:随着嵌段共聚物浓度增大,溶解度增加,当其浓度在0~3

5、g/L嵌段长度的增加溶解度逐渐增大,因为更多的羧酸根与金属离子进行络合,但同时PAA链段增加导致了胶束间的聚集,应控制PAA链长介于50—100之间。此外,由于引人能与底物发生强相互作用官能团的嵌段PMPS,这种金属胶体可以锚定在基底表面以实现更稳定的性能,这为金属胶体的制备及实现超薄涂覆,展现其优良———————————————————————————————————————————————特性提供了实验依据,有望在功能性涂料、催化剂、磁性聚合物薄膜和表面磁性涂层等新材料方面得到广泛的应用。时,溶解度变化趋势较大;当其浓度达到3g/L之后,溶解度变化趋于

6、平缓;并且随着嵌段共聚物中PAA万方数据 第6期徐勇,等:纳米SiO:在水基体系中的分散稳定性研究3l称取一定量的纳米二氧化硅微粉置于其中,轻微搅拌,静置沉淀,每隔一定时间,观察并记录分散效果。(3)物理一化学分散准确称取一定量的纳米二氧化硅微粉,加入到一定质量浓度的分散剂溶液中,超声波分散一定时间后,静置沉淀,每隔一定时间,观察并记录分散效果。2产品结构表征与性能检测2.1二氧化硅红外光谱分析取自制纳米二氧化硅样品1.0g于表面皿内,烘干后取少量和溴化钾混合均匀压片,用傅立叶变换红外光谱仪扫描。2.2二氧化硅粒度分析取适量纳米二氧化硅样品,用激光粒度分析

7、仪对其进行粒度大小分析。2.3二氧化硅沉降实验分别对不同沉降时间的分散体系进行体系吸光度———————————————————————————————————————————————的测定及上清液和沉淀的分离,并对沉淀进行清洗、干燥和称重,记录数据。3实验结果与讨论3.1红外光谱分析纳米二氧化硅的红外光谱图见图1。求辞捌蜊波,妻t./em一1图1纳米二氧化硅的红外光谱图如图1所示,在3429cm一处的吸收与珈H基团的伸缩振动有关,在l097em一处出现最大吸收峰,为si—伊—筠键的反对称伸缩振动;在800现Si十Si键的对称伸缩振动,在467em-I处出e

8、m。处出现万 方数据Si—o—&键的弯曲振动;在l吸收峰代表H十H

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