内存芯片识别方法

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1、1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；GM72V*****1**T**GM为LGS产品；72为SDRAM；第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；第6个*代表是第几个版本的内核；第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；“T”为TSOPII封装；“I”为BLP封装；最后的**代表速度：7：7ns(143MHz)7：7.5ns(133MHz)8：8ns(125MHz)7K：10ns(PC100CL2&3)7J：10ns(PC100CL3)10K：10ns(100

2、MHz)12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz)2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识HY5*************-**HY为现代产品，5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDRSDRAM；第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；第3-5个*代表容量和刷新速度：16：16Mbit，4kRef64：64Mbit，8kRef65：64Mbit，4kRef128：128Mbit，8kRef129：128Mbit，4kRef256：256Mbit，16kRef257：256Mbit，8KRef第6，7个*代表数据位宽，40，80，1

3、6，32分别代表4位，8位，16位和32位；第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；第9个*一般为0，代表LVTTL（LowVoltageTTL）接口；第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；第12，13个*代表封装形式；最后几位为速度：7：7ns(143MHz)8：8ns(133MHz)10P：10ns(PC100CL2/3)10S：10ns(Pc100CL3)10：10ns(100MHz)12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz)3．Micron：Micron的SDRAM芯片的标识；MT48

4、****M**A*TG-***MT为Micron的产品；48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；A*代表writerecovery（tWR），如A2表示tWR=2clkTG为TSOPII封装，LG为TGFP封装；最后的**代表速度：7：7ns(143MHz)75：7.5ns(133MHz)8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；10：10ns(100MHzCL=3)；例如：MT48LC8M8

5、A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。  如何根据内存芯片标识识别内存(二)----许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。  一、现代SDRAM内存芯片的识别  ----现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  HY5XX   XXXXXXXXXXX-XX     ①②③④⑤⑥⑦⑧⑨    ⑩  ----“HY”表明是现代

6、的产品。  ----①代表的是内存芯片种类:“51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDRSDRAM。  ----②代表工作电压:“U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。  ----③代表一个内存芯片的密度和刷新速度:其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。  ----④代表芯片输出的数据位宽:其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。  ----⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成:其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。  ----⑥代表内存接口:一般为“0”，代表LVTTL接口。  ---

7、-⑦代表内存版本号:空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。  ----⑧代表功耗:其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。  ----⑨代表封装类型:其编号与封装类型的对应关系如下:  “JC”:400milSOJ“TC”:400milTSOP-Ⅱ“TD”:TSOP-Ⅱ“TG”:TSOP-Ⅱ,GOLD----⑩代表速度:其编号与速度的对应关系如下:  “7”:7ns(14